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著錄信息

  • 專利名稱:一種MOSFET器件
  • 專利類型:實用新型
  • 申請號:CN201620786862.6
  • 公開(公告)號:CN205944098U
  • 申請日:20160725
  • 公開(公告)日:20170208
  • 申請人:吉林華微電子股份有限公司
  • 發明人:左義忠,楊壽國,張海宇,曲亮,賈國
  • 申請人地址:132013 吉林省吉林市高新區深圳街99號
  • 申請人區域代碼:CN220211
  • 專利權人:吉林華微電子股份有限公司
  • 洛迦諾分類:
  • IPC:H01L29/40,H01L29/423,H01L29/78,H01L21/336
  • 優先權:
  • 專利代理機構:北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
  • 代理人:畢強
  • 審查員:
  • 國際申請:
  • 國際公開(公告):
  • 進入國家日期:
  • 分案申請:

關鍵詞

源極金屬,柵電極區,柵溝槽,溝道,肖特基結,半導體器件技術,本實用新型,電場,電場屏蔽,溝道電子,溝道電阻,肖特基源,依次設置,遷移率,勢壘區,肖特基,承載
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