著錄信息
- 專利名稱:一種MOSFET器件
- 專利類型:實用新型
- 申請號:CN201620786862.6
- 公開(公告)號:CN205944098U
- 申請日:20160725
- 公開(公告)日:20170208
- 申請人:吉林華微電子股份有限公司
- 發明人:左義忠,楊壽國,張海宇,曲亮,賈國
- 申請人地址:132013 吉林省吉林市高新區深圳街99號
- 申請人區域代碼:CN220211
- 專利權人:吉林華微電子股份有限公司
- 洛迦諾分類:無
- IPC:H01L29/40,H01L29/423,H01L29/78,H01L21/336
- 優先權:無
- 專利代理機構:北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
- 代理人:畢強
- 審查員:無
- 國際申請:無
- 國際公開(公告):無
- 進入國家日期:無
- 分案申請:無
關鍵詞
源極金屬,柵電極區,柵溝槽,溝道,肖特基結,半導體器件技術,本實用新型,電場,電場屏蔽,溝道電子,溝道電阻,肖特基源,依次設置,遷移率,勢壘區,肖特基,承載
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