西(xi)安紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)半(ban)(ban)導體(ti)股(gu)份(fen)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司前身為成立(li)于(yu)2004年(nian)德國英飛凌西(xi)安研(yan)發中心的存儲事(shi)業部,2006年(nian)分拆(chai)成為獨立(li)的奇夢達科技西(xi)安有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司,2009年(nian)被浪潮(chao)集團收(shou)購轉制(zhi)成為國內公(gong)(gong)(gong)司并(bing)更(geng)名(ming)為西(xi)安華芯(xin)半(ban)(ban)導體(ti)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司。2015年(nian),紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)集團紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)微電子股(gu)份(fen)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司收(shou)購西(xi)安華芯(xin)半(ban)(ban)導體(ti)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司并(bing)更(geng)名(ming)為西(xi)安紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)半(ban)(ban)導體(ti)有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司。2019年(nian)12月,經過重組,西(xi)安紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)半(ban)(ban)導體(ti)并(bing)入北京紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)存儲科技有(you)限(xian)公(gong)(gong)(gong)司。2022年(nian)紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)集團實控人變更(geng)為智廣芯(xin)控股(gu),隨著紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)集團重整完畢,西(xi)安紫(zi)(zi)(zi)光(guang)(guang)國芯(xin)踏上發展新征程。
公(gong)司是(shi)以(yi)DRAM(動態(tai)隨機(ji)存取存儲器)存儲技術為(wei)核心的產(chan)(chan)品(pin)和服務(wu)提供(gong)商,核心業務(wu)包(bao)括存儲器設計開(kai)發,存儲器產(chan)(chan)品(pin)量產(chan)(chan)銷售,以(yi)及專(zhuan)用集成電路設計開(kai)發服務(wu),產(chan)(chan)品(pin)包(bao)括DRAMKGD、DRAM顆粒、DRAM模組、系統產(chan)(chan)品(pin)和設計服務(wu)。目前(qian)公(gong)司員(yuan)工人數超過600名,其中研發工程師占(zhan)比80%以(yi)上,70%擁有碩士(shi)或博士(shi)學位。公(gong)司還擁有二十余位外(wai)籍(ji)專(zhuan)家和海外(wai)留學歸(gui)國人員(yuan)。
公司多年(nian)來(lai)一直專注于存(cun)儲器尤其是DRAM存(cun)儲器的(de)(de)研發和技(ji)術(shu)積累,擁有從產品(pin)(pin)立項、指(zhi)標定義、電路(lu)設計(ji)、版圖(tu)設計(ji)到硅片、顆粒(li)、內存(cun)條測試及(ji)售前售后技(ji)術(shu)支(zhi)持等(deng)全方面(mian)技(ji)術(shu)積累。二十余(yu)款芯片產品(pin)(pin)和四十余(yu)款模組產品(pin)(pin)實(shi)現全球量(liang)產和銷售。產品(pin)(pin)廣泛應用(yong)于計(ji)算機、服務(wu)器、移動通訊(xun)、消費電子及(ji)工(gong)業應用(yong)等(deng)領(ling)域。在(zai)面(mian)向大(da)(da)數據和人工(gong)智(zhi)能等(deng)新興(xing)領(ling)域,公司采用(yong)三維集成(cheng)技(ji)術(shu),實(shi)現將邏(luo)輯晶圓和DRAM晶圓的(de)(de)異質集成(cheng),開發出(chu)高帶(dai)寬(kuan)、大(da)(da)容量(liang)的(de)(de)3DDRAM芯片,及(ji)內嵌超高帶(dai)寬(kuan)超低功耗DRAM的(de)(de)人工(gong)智(zhi)能(AI)芯片。公司還(huan)在(zai)NANDFlash、NORFlash和新型存(cun)儲器RRAM等(deng)領(ling)域開發有產品(pin)(pin),進行了研發布局(ju)。
西安紫光(guang)國芯(xin)(xin)同時還擁有數字電路(lu)和(he)混合電路(lu)設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)團隊,提(ti)供基于世界(jie)優秀工(gong)(gong)藝(yi)的(de)ASIC設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)開(kai)(kai)發驗(yan)(yan)證(zheng)服務。公(gong)司具備從(cong)設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)規格到芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)流(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian)完(wan)整(zheng)流(liu)(liu)程(cheng)的(de)設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)開(kai)(kai)發經(jing)驗(yan)(yan),包括:設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)實現、功能驗(yan)(yan)證(zheng)、綜合和(he)DFT、物(wu)理(li)實現、時序、物(wu)理(li)檢查(cha)及流(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian)。公(gong)司在過去幾年中成功為客戶(hu)完(wan)成了十余款基于65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和(he)目前精良的(de)4nm工(gong)(gong)藝(yi)的(de)SoC芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)和(he)流(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian),幫(bang)助客戶(hu)完(wan)成芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)和(he)測(ce)(ce)試。公(gong)司也成功提(ti)供多(duo)款從(cong)產(chan)品定義開(kai)(kai)始完(wan)成芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)架構設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)、電路(lu)設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)、仿真驗(yan)(yan)證(zheng)、后端設(she)(she)計(ji)(ji)(ji)、流(liu)(liu)片(pian)(pian)(pian)、測(ce)(ce)試驗(yan)(yan)證(zheng)、量產(chan)工(gong)(gong)程(cheng)全流(liu)(liu)程(cheng)的(de)“交鑰匙”芯(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)開(kai)(kai)發服務。
公(gong)司(si)(si)是“國家高(gao)新技術(shu)企(qi)業”、“國家企(qi)業技術(shu)中心”、“國家知識產(chan)權優(you)勢企(qi)業”、“西安市存儲器工程技術(shu)研(yan)究中心”,公(gong)司(si)(si)建設(she)有(you)占地面積(ji)2000余平(ping)米(mi)的世界前列水平(ping)的存儲器芯片(pian)測試(shi)(shi)、模組測試(shi)(shi)、模組應用和(he)ASIC測試(shi)(shi)實(shi)驗室4個,大型成套(tao)測試(shi)(shi)設(she)備30余臺套(tao)。可(ke)支(zhi)持各(ge)類存儲器和(he)ASIC產(chan)品的功能和(he)性能測試(shi)(shi)驗證分析(xi)、量產(chan)測試(shi)(shi)工程開(kai)發、應用工程測試(shi)(shi)、以及(ji)小批量生產(chan)和(he)工程樣品開(kai)發。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法 | 2019-06-07 | 2020-01-01 |