西安紫(zi)光國(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導體(ti)股(gu)份有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)前身為(wei)成立(li)于2004年(nian)(nian)德(de)國(guo)英飛凌西安研發中(zhong)心的(de)(de)存儲事業部,2006年(nian)(nian)分(fen)拆成為(wei)獨立(li)的(de)(de)奇夢(meng)達科(ke)(ke)技西安有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si),2009年(nian)(nian)被浪潮集團(tuan)(tuan)收購轉制成為(wei)國(guo)內公(gong)(gong)司(si)并(bing)更名為(wei)西安華芯(xin)(xin)半(ban)導體(ti)有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)。2015年(nian)(nian),紫(zi)光集團(tuan)(tuan)紫(zi)光國(guo)芯(xin)(xin)微(wei)電(dian)子(zi)股(gu)份有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)收購西安華芯(xin)(xin)半(ban)導體(ti)有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)并(bing)更名為(wei)西安紫(zi)光國(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導體(ti)有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)。2019年(nian)(nian)12月,經過(guo)重(zhong)組,西安紫(zi)光國(guo)芯(xin)(xin)半(ban)導體(ti)并(bing)入北京紫(zi)光存儲科(ke)(ke)技有(you)(you)限(xian)公(gong)(gong)司(si)。2022年(nian)(nian)紫(zi)光集團(tuan)(tuan)實控人(ren)變更為(wei)智廣芯(xin)(xin)控股(gu),隨著紫(zi)光集團(tuan)(tuan)重(zhong)整(zheng)完畢(bi),西安紫(zi)光國(guo)芯(xin)(xin)踏上發展新(xin)征程。
公司(si)是(shi)以DRAM(動態(tai)隨機存(cun)(cun)取存(cun)(cun)儲器)存(cun)(cun)儲技(ji)術為核(he)心(xin)(xin)的(de)產(chan)品(pin)和服(fu)務提供商,核(he)心(xin)(xin)業務包(bao)括存(cun)(cun)儲器設計(ji)開發(fa),存(cun)(cun)儲器產(chan)品(pin)量(liang)產(chan)銷售,以及專用集成(cheng)電路(lu)設計(ji)開發(fa)服(fu)務,產(chan)品(pin)包(bao)括DRAMKGD、DRAM顆粒(li)、DRAM模組(zu)、系統產(chan)品(pin)和設計(ji)服(fu)務。目前公司(si)員(yuan)(yuan)工人數(shu)超過600名,其中研發(fa)工程(cheng)師占比(bi)80%以上,70%擁(yong)有碩士(shi)或博士(shi)學位。公司(si)還擁(yong)有二十(shi)余位外(wai)籍(ji)專家和海外(wai)留學歸國人員(yuan)(yuan)。
公(gong)司多(duo)年來一直(zhi)專注于存(cun)(cun)儲器尤其是DRAM存(cun)(cun)儲器的研發(fa)和(he)(he)技(ji)術積(ji)累(lei),擁有從產(chan)品(pin)立項、指標(biao)定(ding)義、電路設計(ji)、版圖(tu)設計(ji)到硅片(pian)(pian)、顆粒、內存(cun)(cun)條測試及(ji)(ji)售(shou)前(qian)售(shou)后技(ji)術支持等(deng)全方面技(ji)術積(ji)累(lei)。二十(shi)余款(kuan)芯片(pian)(pian)產(chan)品(pin)和(he)(he)四(si)十(shi)余款(kuan)模(mo)組產(chan)品(pin)實現(xian)全球量產(chan)和(he)(he)銷(xiao)售(shou)。產(chan)品(pin)廣(guang)泛應用(yong)于計(ji)算機、服務(wu)器、移動通訊、消費電子及(ji)(ji)工(gong)(gong)業應用(yong)等(deng)領(ling)域(yu)(yu)。在(zai)面向(xiang)大數據和(he)(he)人工(gong)(gong)智能等(deng)新興領(ling)域(yu)(yu),公(gong)司采用(yong)三維集成技(ji)術,實現(xian)將邏輯晶圓和(he)(he)DRAM晶圓的異質集成,開發(fa)出高帶寬(kuan)、大容量的3DDRAM芯片(pian)(pian),及(ji)(ji)內嵌超高帶寬(kuan)超低功(gong)耗DRAM的人工(gong)(gong)智能(AI)芯片(pian)(pian)。公(gong)司還在(zai)NANDFlash、NORFlash和(he)(he)新型(xing)存(cun)(cun)儲器RRAM等(deng)領(ling)域(yu)(yu)開發(fa)有產(chan)品(pin),進行了研發(fa)布局。
西安(an)紫光國芯(xin)(xin)同(tong)時還(huan)擁有(you)數字電路(lu)(lu)和混合電路(lu)(lu)設(she)計(ji)(ji)(ji)團隊,提(ti)供基于世(shi)界優秀工藝(yi)的ASIC設(she)計(ji)(ji)(ji)開發驗證服(fu)務(wu)。公司(si)具備從設(she)計(ji)(ji)(ji)規格到芯(xin)(xin)片流片完(wan)整流程(cheng)的設(she)計(ji)(ji)(ji)開發經驗,包括(kuo):設(she)計(ji)(ji)(ji)實現、功(gong)(gong)能驗證、綜合和DFT、物(wu)理實現、時序、物(wu)理檢(jian)查(cha)及(ji)流片。公司(si)在(zai)過去幾年中成(cheng)(cheng)功(gong)(gong)為客戶完(wan)成(cheng)(cheng)了(le)十余(yu)款(kuan)基于65nm/40nm/28nm/14nm/10nm/7nm/5nm,和目前(qian)精良的4nm工藝(yi)的SoC芯(xin)(xin)片設(she)計(ji)(ji)(ji)和流片,幫助客戶完(wan)成(cheng)(cheng)芯(xin)(xin)片設(she)計(ji)(ji)(ji)和測試。公司(si)也成(cheng)(cheng)功(gong)(gong)提(ti)供多(duo)款(kuan)從產品定義開始完(wan)成(cheng)(cheng)芯(xin)(xin)片架構(gou)設(she)計(ji)(ji)(ji)、電路(lu)(lu)設(she)計(ji)(ji)(ji)、仿(fang)真驗證、后(hou)端設(she)計(ji)(ji)(ji)、流片、測試驗證、量產工程(cheng)全流程(cheng)的“交(jiao)鑰匙”芯(xin)(xin)片開發服(fu)務(wu)。
公(gong)司是(shi)“國家(jia)高新(xin)技術(shu)(shu)企業(ye)”、“國家(jia)企業(ye)技術(shu)(shu)中心”、“國家(jia)知識產(chan)權優勢企業(ye)”、“西安市存(cun)(cun)儲(chu)器工程技術(shu)(shu)研究中心”,公(gong)司建設(she)(she)有占地(di)面積(ji)2000余平米的世界前列水平的存(cun)(cun)儲(chu)器芯片(pian)測(ce)試(shi)、模(mo)組測(ce)試(shi)、模(mo)組應(ying)用和ASIC測(ce)試(shi)實驗室4個,大型成套(tao)(tao)測(ce)試(shi)設(she)(she)備(bei)30余臺(tai)套(tao)(tao)。可(ke)支持各類(lei)存(cun)(cun)儲(chu)器和ASIC產(chan)品的功能和性能測(ce)試(shi)驗證分析、量產(chan)測(ce)試(shi)工程開發、應(ying)用工程測(ce)試(shi)、以及小批量生產(chan)和工程樣品開發。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 36474-2018 | 半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法 | 2019-06-07 | 2020-01-01 |