晶湛半導(dao)體由(you)業(ye)界(jie)公認的硅基氮化鎵(jia)(jia)（GaN-on-Si）外延(yan)技(ji)術的開拓者程凱(kai)博士(shi)于2012年(nian)回國(guo)創辦，坐落(luo)于蘇州市工(gong)業(ye)園區，擁有國(guo)際先(xian)進的氮化鎵(jia)(jia)外延(yan)材料研發和產業(ye)化基地，致力(li)(li)于為電力(li)(li)電子以及微顯(xian)示等領域提供高品質氮化鎵(jia)(jia)外延(yan)材料解決(jue)方案，也是目(mu)前國(guo)際上可(ke)供應300mm硅基氮化鎵(jia)(jia)外延(yan)產品的廠商，技(ji)術實(shi)力(li)(li)處于國(guo)際地位。
2014年(nian)底，晶湛(zhan)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體就(jiu)率(lv)先在全球(qiu)首(shou)次發(fa)布(bu)(bu)商用8英(ying)寸(cun)硅基氮(dan)化鎵外延(yan)片產(chan)品，經(jing)有關(guan)下游客(ke)戶驗證，該材料(liao)(liao)具備技術(shu)指(zhi)標和卓(zhuo)越的(de)(de)性(xing)能，填補了(le)國(guo)(guo)(guo)內氮(dan)化鎵產(chan)業(ye)的(de)(de)空白。2021年(nian)9月，晶湛(zhan)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體又(you)成功全球(qiu)12英(ying)寸(cun)硅基電力電子氮(dan)化鎵外延(yan)片，贏(ying)得了(le)業(ye)內廣(guang)泛(fan)關(guan)注。經(jing)過多年(nian)的(de)(de)專注發(fa)展(zhan)，晶湛(zhan)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體已經(jing)成為國(guo)(guo)(guo)內GaN材料(liao)(liao)研發(fa)和產(chan)業(ye)化的(de)(de)領軍企業(ye)，通過與(yu)全球(qiu)數(shu)百家知名(ming)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體科技企業(ye)、高校科研院所(suo)客(ke)戶建立廣(guang)泛(fan)深入的(de)(de)合作，多次在行業(ye)期刊NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及國(guo)(guo)(guo)際(ji)會議IEDM等發(fa)布(bu)(bu)相關(guan)創新成果，引(yin)起國(guo)(guo)(guo)際(ji)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體界的(de)(de)廣(guang)泛(fan)關(guan)注和一致好評(ping)。
晶湛(zhan)半導體(ti)高度重視自主(zhu)研(yan)發和核(he)心知識產權工作(zuo)，在氮化鎵外延領(ling)域已掌(zhang)握(wo)多項(xiang)(xiang)核(he)心技術(shu)，擁有獨立的自主(zhu)知識產權，晶湛(zhan)半導體(ti)目前已在國內外累計(ji)申請超(chao)500項(xiang)(xiang)專利，其中已獲得超(chao)140項(xiang)(xiang)專利授權。
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