• 中文名 王(wang)占(zhan)國
• 性別 男
• 國(guo)籍 中國
• 民族 漢族
• 出生(sheng)地 河南省南陽(yang)市
• 出生日期 1938年12月(yue)
• 畢業院校(xiao) 南開大學
• 職業職位 中(zhong)國科學(xue)院(yuan)院(yuan)士(shi)
• 主要成就 “國家(jia)科技進步三(san)等獎”、“國家(jia)自然科學二(er)等獎”

1962年，畢(bi)業于南開大學物理系，隨后進入中國科學院(yuan)半(ban)導(dao)體所工(gong)作(zuo)。

1980年(nian) - 1983年(nian)，前往(wang)瑞典(dian)隆德大學固體物(wu)(wu)理系從事深能級物(wu)(wu)理和光譜物(wu)(wu)理研究。

1986年(nian)，擔任中國科學院半導體所研(yan)究員(yuan)、材料(liao)室(shi)主任。

1990年(nian)，被批(pi)準為(wei)中國(guo)科學院半(ban)導體所博士生導師。

1990年 - 1994年，擔(dan)任中(zhong)國科學院(yuan)半導體所副(fu)所長。

1995年，當選(xuan)為中(zhong)國科(ke)學院(yuan)院(yuan)士。

1989年，榮獲(huo)“中(zhong)國科(ke)學院科(ke)技(ji)進步一等獎”。

1990年，榮獲“國(guo)家科(ke)技進步(bu)三(san)(san)等獎(jiang)(jiang)”、“中國(guo)科(ke)學院科(ke)技進步(bu)三(san)(san)等獎(jiang)(jiang)”。

2001年，榮獲(huo)“國家自然科學二(er)等獎”、“何(he)梁何(he)利科學與技術進步獎”。