• 中文名(ming) 雷嘯霖(lin)
• 性別 男(nan)
• 國籍 中國
• 民族 漢族
• 出生(sheng)地(di) 廣(guang)西桂林
• 出(chu)生(sheng)日期 1938年10月27
• 畢(bi)業院校 北京大學
• 職業職位(wei) 中國(guo)科學院院士
• 主要成就 當(dang)選中國科學院(yuan)院(yuan)士、與丁秦生教授創(chuang)立“雷(lei)-丁理論”

1955年(nian) - 1963年(nian)，在北京(jing)大學(xue)物理系學(xue)習。

1963年，從(cong)北京大學(xue)畢業，被(bei)分到山東大學(xue)任教。

1986年，在(zai)中國科學院上海冶金(jin)所被破格提(ti)升為研(yan)究員。

1983年(nian)，應邀(yao)赴美工(gong)作，先后被休斯頓(dun)大學(xue)、紐(niu)約(yue)市立大學(xue)、斯梯文理(li)工(gong)學(xue)院聘為(wei)客(ke)座副(fu)教授、客(ke)座教授，從事凝聚態(tai)物理(li)學(xue)理(li)論研(yan)究。

1997年，當選為中國科(ke)學院(yuan)院(yuan)士(shi)。

1988年(nian)，被評為“國家有(you)突出貢獻的中青(qing)年(nian)專家”。

1995年，榮獲全(quan)國“五一”勞(lao)動(dong)獎章(zhang)。

1997年，當選為中國科學院院士。

2006年，榮獲“何梁何利科(ke)學與技(ji)術進步獎”。

20世(shi)紀60年代，與吳杭生(sheng)教授一起提出(chu)超導膜的尺寸(cun)非局域(yu)效(xiao)應，建立(li)超導薄膜臨界(jie)磁場隨膜厚度變(bian)化的-3/2次方規律。

20世紀(ji)80年代初，對超導臨界溫度級(ji)數的收斂判據以及聲子譜(pu)高(gao)頻行(xing)為(wei)的效(xiao)應提出獨創(chuang)見解，得到同行(xing)公認。

20世(shi)紀(ji)80年代中期，與丁秦生教授(shou)合作，創立“雷-丁理論(lun)”。

20世(shi)紀90年代初，發展超晶格(ge)子(zi)帶輸運(yun)模型(xing)，建立在電場和磁場中(zhong)任意能譜材料的熱載流子(zi)輸運(yun)方(fang)程。

1991年，提出窄能帶材料中電(dian)子輸(shu)運的(de)布拉格(ge)散射模(mo)型(xing)，建(jian)立(li)半導體超晶格(ge)微帶輸(shu)運的(de)解(jie)析理論。

1994年，《半導體輸(shu)運(yun)理論》榮獲“中國科學(xue)院自然科學(xue)獎(jiang)一等獎(jiang)”。

1995年，提(ti)出用6個有效質(zhi)量系(xi)數和6個非拋物(wu)系(xi)數描述任意形狀(zhuang)的能(neng)(neng)帶系(xi)統在(zai)電(dian)場和磁(ci)場同(tong)時(shi)(shi)存在(zai)時(shi)(shi)的輸運(yun)性質(zhi)的方程，為研究復(fu)雜能(neng)(neng)帶材料在(zai)強電(dian)場下的半導體(ti)磁(ci)輸運(yun)提(ti)供一個簡便而系(xi)統的方法(fa)。

1995年(nian)，《半導體輸(shu)運的平(ping)衡方程理論》榮獲“國家自然科學獎(jiang)二等獎(jiang)”。

1998年，提出研究(jiu)強(qiang)太(tai)拉赫茲電磁場(chang)中半導體非線性(xing)電子輸運和(he)光學性(xing)質的(de)新的(de)平衡方程理論。