SSD固態硬盤的優點

1、SSD不需(xu)要機械結構，完全的半導(dao)體化，不存在(zai)數據查找時(shi)(shi)間(jian)、延遲時(shi)(shi)間(jian)和磁盤尋道時(shi)(shi)間(jian)，數據存取(qu)速度(du)快，讀取(qu)數據的能力(li)在(zai)400M/s以上，最高的目前(qian)可達(da)500M/s以上。

2、SSD全(quan)部(bu)采用閃存(cun)芯(xin)片，經久(jiu)耐(nai)用，防震抗摔，即使(shi)發生與硬物(wu)碰(peng)撞，數據(ju)丟失的可能(neng)性也(ye)能(neng)夠降到最小。

3、得益于無機械部件及FLASH閃(shan)存芯片(pian)，SSD沒有(you)任何噪(zao)音，功耗低。

4、質量(liang)(liang)輕，比常規1.8英寸硬(ying)盤重量(liang)(liang)輕20-30克(ke)，使得便攜設備搭載(zai)多塊(kuai)SSD成為(wei)可(ke)能。同時因(yin)其完(wan)全半(ban)導體化，無結構限制，可(ke)根據(ju)實際情況設計成各種不(bu)同接口(kou)、形狀的特(te)殊電子硬(ying)盤。

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SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目(mu)前(qian)SSD成本已經大幅下降。128G SSD已經在1000元級別。但(dan)是相對機械硬盤，價(jia)格還是很高的(de)~而作(zuo)(zuo)為筆(bi)記本廠(chang)商，在將固(gu)態(tai)硬盤當作(zuo)(zuo)可選配件后，升級的(de)費(fei)用更是要遠(yuan)高于實際(ji)成本，這也(ye)就(jiu)導致(zhi)了(le)配備傳統硬盤筆(bi)記本和固(gu)態(tai)硬盤筆(bi)記本之間千元的(de)價(jia)差。

2、存儲容量有待提高

如(ru)今傳統(tong)機(ji)械式硬盤憑(ping)借最(zui)(zui)新的(de)垂直記錄(lu)技術已經向2TB級別邁進，而固(gu)態硬盤的(de)最(zui)(zui)高紀(ji)錄(lu)仍(reng)停留(liu)幾百GB(PQI推(tui)出的(de)2.5英寸SSD產(chan)品(pin))左右，由于(yu)閃存(cun)成本一直居高不下，很少有廠商涉及(ji)這種高容(rong)量(liang)的(de)SSD產(chan)品(pin)的(de)研發(fa)，即使有相關的(de)產(chan)品(pin)出現，離量(liang)產(chan)還有很長很長的(de)路，現階段(duan)可以(yi)買到的(de)固(gu)態硬盤最(zui)(zui)實際的(de)存(cun)儲容(rong)量(liang)只有最(zui)(zui)高幾百GB。但是價(jia)格高昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前(qian)市面上占有率最高(gao)的(de)(de)SandForce二代主(zhu)控(kong)，由于它提供了一套成熟的(de)(de)主(zhu)控(kong)方案。硬盤廠商(shang)只(zhi)需買來方案，在(zai)加(jia)入自己的(de)(de)PCB設計(ji)、閃存(cun)搭配(pei)、固(gu)件(jian)算法就能(neng)(neng)(neng)制造出(chu)固(gu)態(tai)硬盤。有點類似于谷(gu)歌(ge)的(de)(de)Android開源模式(shi)，不(bu)過(guo)其(qi)弊病(bing)也是(shi)相同的(de)(de)，那就是(shi)同樣(yang)的(de)(de)主(zhu)控(kong)要兼容各種不(bu)同的(de)(de)芯片、固(gu)件(jian)，所以(yi)各大SandForce主(zhu)控(kong)的(de)(de)硬盤產品性能(neng)(neng)(neng)也是(shi)參(can)差不(bu)齊的(de)(de)。另外還有Marvell主(zhu)控(kong)和Intel主(zhu)控(kong)，只(zhi)是(shi)產品較少，但性能(neng)(neng)(neng)都相當(dang)給力。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用(yong)的(de)閃(shan)存顆(ke)(ke)(ke)粒有著25/34nm制程(cheng)、MLC/SLC、同步(bu)(bu)/異(yi)(yi)步(bu)(bu)、ONFI/Toggle Mode等等不同。不同閃(shan)存顆(ke)(ke)(ke)粒數據傳(chuan)輸(shu)率有著很(hen)大的(de)差異(yi)(yi)，異(yi)(yi)步(bu)(bu)ONFI顆(ke)(ke)(ke)粒只有50MT/s（Intel或(huo)者(zhe)Micron早期顆(ke)(ke)(ke)粒），同步(bu)(bu)ONFI 2.x顆(ke)(ke)(ke)粒則可(ke)以達到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或(huo)者(zhe)Micron顆(ke)(ke)(ke)粒），異(yi)(yi)步(bu)(bu)Toggly DDR 1.0顆(ke)(ke)(ke)粒也可(ke)以達到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或(huo)者(zhe)Samsung顆(ke)(ke)(ke)粒）。