SSD固態硬盤的優點

1、SSD不(bu)需要機械結構，完全的半(ban)導體化(hua)，不(bu)存(cun)在(zai)數據查(cha)找時間(jian)(jian)、延遲時間(jian)(jian)和磁(ci)盤尋道時間(jian)(jian)，數據存(cun)取(qu)速(su)度快，讀(du)取(qu)數據的能力在(zai)400M/s以上(shang)，最(zui)高的目前(qian)可達500M/s以上(shang)。

2、SSD全部采用(yong)(yong)閃存芯(xin)片，經久耐用(yong)(yong)，防震抗摔，即使發生與硬物碰撞(zhuang)，數據(ju)丟失的可能性也(ye)能夠降到(dao)最(zui)小。

3、得益于無機械(xie)部件及(ji)FLASH閃存芯(xin)片，SSD沒有任(ren)何(he)噪音，功耗低。

4、質量輕，比(bi)常(chang)規1.8英寸硬(ying)(ying)盤重量輕20-30克，使得便攜設(she)備搭(da)載(zai)多塊SSD成為(wei)可能。同時因(yin)其(qi)完(wan)全半導體化，無(wu)結(jie)構限制(zhi)，可根據實(shi)際情況設(she)計(ji)成各種不同接口、形(xing)狀的(de)特殊電子硬(ying)(ying)盤。

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SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目前(qian)SSD成(cheng)本已經大幅下降。128G SSD已經在1000元(yuan)級別。但是相對機械硬盤(pan)(pan)(pan)，價(jia)格還是很高的~而作(zuo)為筆(bi)記(ji)(ji)本廠商，在將固(gu)態硬盤(pan)(pan)(pan)當作(zuo)可選(xuan)配(pei)件(jian)后，升級的費用更是要遠高于(yu)實際成(cheng)本，這也就導致了配(pei)備傳(chuan)統硬盤(pan)(pan)(pan)筆(bi)記(ji)(ji)本和固(gu)態硬盤(pan)(pan)(pan)筆(bi)記(ji)(ji)本之間千(qian)元(yuan)的價(jia)差。

2、存儲容量有待提高

如今(jin)傳統機械式硬盤(pan)憑借最(zui)新的(de)(de)垂直(zhi)記錄技術已經(jing)向2TB級別邁進，而固(gu)態硬盤(pan)的(de)(de)最(zui)高紀(ji)錄仍停留幾百GB(PQI推(tui)出的(de)(de)2.5英寸SSD產(chan)品)左右，由于閃存(cun)成本一直(zhi)居(ju)高不(bu)下，很少有(you)廠商涉(she)及這種(zhong)高容量的(de)(de)SSD產(chan)品的(de)(de)研(yan)發，即(ji)使有(you)相關的(de)(de)產(chan)品出現(xian)，離量產(chan)還有(you)很長(chang)很長(chang)的(de)(de)路，現(xian)階(jie)段可(ke)以買到的(de)(de)固(gu)態硬盤(pan)最(zui)實際(ji)的(de)(de)存(cun)儲容量只有(you)最(zui)高幾百GB。但是價格高昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前(qian)市面上占有率最高的(de)SandForce二(er)代(dai)主(zhu)控，由于它提供了一套成(cheng)熟(shu)的(de)主(zhu)控方案。硬盤廠商只(zhi)(zhi)需買來方案，在(zai)加入自己的(de)PCB設計、閃存搭配(pei)、固(gu)件算法就能制造出固(gu)態(tai)硬盤。有點(dian)類似于谷歌的(de)Android開源模式(shi)，不過其(qi)弊病也(ye)(ye)是(shi)相同(tong)的(de)，那就是(shi)同(tong)樣(yang)的(de)主(zhu)控要(yao)兼容(rong)各種(zhong)不同(tong)的(de)芯片(pian)、固(gu)件，所以各大(da)SandForce主(zhu)控的(de)硬盤產品(pin)(pin)性能也(ye)(ye)是(shi)參差(cha)不齊的(de)。另(ling)外(wai)還有Marvell主(zhu)控和Intel主(zhu)控，只(zhi)(zhi)是(shi)產品(pin)(pin)較少，但性能都(dou)相當給力。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采(cai)用的(de)閃(shan)存(cun)顆粒(li)(li)(li)(li)(li)有著(zhu)25/34nm制程、MLC/SLC、同(tong)(tong)步/異(yi)(yi)步、ONFI/Toggle Mode等等不同(tong)(tong)。不同(tong)(tong)閃(shan)存(cun)顆粒(li)(li)(li)(li)(li)數(shu)據(ju)傳輸率(lv)有著(zhu)很大(da)的(de)差(cha)異(yi)(yi)，異(yi)(yi)步ONFI顆粒(li)(li)(li)(li)(li)只有50MT/s（Intel或(huo)者Micron早期顆粒(li)(li)(li)(li)(li)），同(tong)(tong)步ONFI 2.x顆粒(li)(li)(li)(li)(li)則可(ke)以(yi)達(da)到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或(huo)者Micron顆粒(li)(li)(li)(li)(li)），異(yi)(yi)步Toggly DDR 1.0顆粒(li)(li)(li)(li)(li)也可(ke)以(yi)達(da)到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或(huo)者Samsung顆粒(li)(li)(li)(li)(li)）。