一、光耦參數主要有哪些

光耦，即光耦合器，是把發光器件（如發光二極體）和光敏器件（如光敏三極管）組裝在一起，通過光線實現耦合構成電—光和光—電的轉換器件，光耦的參數主要有：

1、反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作(zuo)電(dian)壓VR時，二極(ji)管中流(liu)過的電(dian)流(liu)。

2、反向擊穿電壓VBR：被測(ce)管通過的反向電流IR為規定(ding)值時(shi)，在兩(liang)極間所產(chan)生的電壓降。

3、正向壓降VF：二極管通(tong)過的正向電(dian)流為規定值時，正負(fu)極之間所產生的電(dian)壓降。

4、正向電流IF：在被(bei)測(ce)管兩端(duan)加一定的正向電(dian)壓(ya)時(shi)二極管中流(liu)過的電(dian)流(liu)。結電(dian)容(rong)CJ：在規定偏壓(ya)下，被(bei)測(ce)管兩端(duan)的電(dian)容(rong)值。

5、反向擊穿電壓V（BR）CEO：發(fa)光二極(ji)管(guan)開路(lu)，集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流IC為(wei)規定(ding)值(zhi)，集(ji)電(dian)極(ji)與發(fa)射集(ji)間的電(dian)壓降。

6、輸出飽和壓降VCE（sat）：發(fa)光(guang)二極(ji)管工作(zuo)電(dian)流(liu)IF和集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu)IC為規(gui)定(ding)值(zhi)時，并保持IC/IF≤CTRmin時（CTRmin在(zai)被測管技術條件中規(gui)定(ding)）集(ji)電(dian)極(ji)與發(fa)射極(ji)之間的電(dian)壓降(jiang)。

7、反向截止電流ICEO：發(fa)光二極管開路，集電(dian)(dian)極至發(fa)射極間的電(dian)(dian)壓為規定值時(shi)，流(liu)過集電(dian)(dian)極的電(dian)(dian)流(liu)為反向(xiang)截止電(dian)(dian)流(liu)。

8、電(dian)流傳(chuan)輸(shu)比CTR：輸(shu)出(chu)(chu)管的(de)工作電(dian)壓為規(gui)定(ding)值時，輸(shu)出(chu)(chu)電(dian)流和發光二極管正向電(dian)流之比為電(dian)流傳(chuan)輸(shu)比CTR。

9、脈沖上升時間tr，下降時間tf：光耦合器在規(gui)定工作條件下，發光二(er)極管(guan)輸入規(gui)定電流IFP的(de)(de)脈(mo)沖(chong)波(bo)，輸出端管(guan)則輸出相應的(de)(de)脈(mo)沖(chong)波(bo)，從輸出脈(mo)沖(chong)前沿幅度的(de)(de)10%到90%，所需時(shi)(shi)(shi)間為脈(mo)沖(chong)上升時(shi)(shi)(shi)間tr。從輸出脈(mo)沖(chong)后(hou)沿幅度的(de)(de)90%到10%，所需時(shi)(shi)(shi)間為脈(mo)沖(chong)下降時(shi)(shi)(shi)間tf。

10、傳輸延遲時間tPHL，tPLH：從(cong)輸入(ru)脈沖(chong)(chong)前(qian)沿幅度(du)的50%到(dao)輸出脈沖(chong)(chong)電平下降到(dao)1.5V時(shi)(shi)所(suo)需時(shi)(shi)間為傳輸延(yan)遲時(shi)(shi)間tPHL。從(cong)輸入(ru)脈沖(chong)(chong)后沿幅度(du)的50%到(dao)輸出脈沖(chong)(chong)電平上升到(dao)1.5V時(shi)(shi)所(suo)需時(shi)(shi)間為傳輸延(yan)遲時(shi)(shi)間tPLH。

11、入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸(shu)入端和輸(shu)出端之間的(de)電容值。

12、入出間隔離電阻RIO：半導體光耦合器(qi)輸入(ru)端和輸出(chu)端之間的絕緣電阻值。

13、入出間隔離電壓VIO：光耦合(he)器(qi)輸入端和輸出端之間絕緣耐壓(ya)值(zhi)。

二、光電耦合器有哪些基本工作特性

1、共模抑制比很高

在光(guang)(guang)電(dian)耦(ou)合器內(nei)部，由于發光(guang)(guang)管和受光(guang)(guang)器之間的耦(ou)合電(dian)容很小（2pF以內(nei)）所以共(gong)(gong)模(mo)(mo)輸(shu)入電(dian)壓通過極間耦(ou)合電(dian)容對(dui)輸(shu)出電(dian)流的影響很小，因而共(gong)(gong)模(mo)(mo)抑制比很高。

2、輸出特性

光(guang)(guang)電耦(ou)合器(qi)的(de)輸出(chu)(chu)(chu)特(te)性(xing)是指在一定(ding)的(de)發光(guang)(guang)電流(liu)(liu)IF下(xia)，光(guang)(guang)敏管(guan)所加(jia)偏置電壓VCE與(yu)(yu)輸出(chu)(chu)(chu)電流(liu)(liu)IC之間的(de)關(guan)系，當IF=0時，發光(guang)(guang)二(er)極(ji)管(guan)不發光(guang)(guang)，此(ci)時的(de)光(guang)(guang)敏晶體管(guan)集電極(ji)輸出(chu)(chu)(chu)電流(liu)(liu)稱為暗(an)電流(liu)(liu)，一般很小。當IF>0時，在一定(ding)的(de)IF作用下(xia)，所對(dui)應(ying)的(de)IC基本上與(yu)(yu)VCE無關(guan)。IC與(yu)(yu)IF之間的(de)變(bian)化成線性(xing)關(guan)系，用半導(dao)體管(guan)特(te)性(xing)圖示儀測出(chu)(chu)(chu)的(de)光(guang)(guang)電耦(ou)合器(qi)的(de)輸出(chu)(chu)(chu)特(te)性(xing)與(yu)(yu)普通晶體三極(ji)管(guan)輸出(chu)(chu)(chu)特(te)性(xing)相似。

3、隔離特性

（1）隔離電壓Vio：光耦合器(qi)輸入端和輸出端之間絕(jue)緣耐壓值。

（2）隔離電容Cio：光耦合器輸(shu)入端和輸(shu)出端之間的電容值。

（3）隔(ge)離電阻Rio：半導體光耦(ou)合器輸(shu)入端(duan)和輸(shu)出端(duan)之(zhi)間的絕緣電阻值。

4、傳輸特性

（1）電(dian)(dian)流(liu)傳(chuan)輸(shu)比CTR：輸(shu)出(chu)管的工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)壓為規定(ding)值(zhi)時，輸(shu)出(chu)電(dian)(dian)流(liu)和發光二極管正(zheng)向電(dian)(dian)流(liu)之比為電(dian)(dian)流(liu)傳(chuan)輸(shu)比CTR。

（2）上(shang)(shang)升時(shi)間和下(xia)降(jiang)時(shi)間：光電耦合器在(zai)規定(ding)工(gong)作(zuo)條件(jian)下(xia)，發光二(er)極管(guan)輸(shu)(shu)入(ru)規定(ding)電流(liu)IFP的(de)脈(mo)沖(chong)(chong)波，輸(shu)(shu)出(chu)端管(guan)則輸(shu)(shu)出(chu)相(xiang)應的(de)脈(mo)沖(chong)(chong)波，從(cong)輸(shu)(shu)出(chu)脈(mo)沖(chong)(chong)前(qian)沿幅度的(de)10%到90%，所需(xu)時(shi)間為脈(mo)沖(chong)(chong)上(shang)(shang)升時(shi)間tr。從(cong)輸(shu)(shu)出(chu)脈(mo)沖(chong)(chong)后沿幅度的(de)90%到10%，所需(xu)時(shi)間為脈(mo)沖(chong)(chong)下(xia)降(jiang)時(shi)間tf。