一、光耦參數主要有哪些

光耦，即光耦合器，是把發光器件（如發光二極體）和光敏器件（如光敏三極管）組裝在一起，通過光線實現耦合構成電—光和光—電的轉換器件，光耦的參數主要有：

1、反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工(gong)作(zuo)電(dian)壓VR時，二極管中流過的電(dian)流。

2、反向擊穿電壓VBR：被測(ce)管通(tong)過(guo)的(de)反向電流(liu)IR為規定值時，在兩極(ji)間(jian)所(suo)產生的(de)電壓降。

3、正向壓降VF：二極(ji)管通過的(de)正(zheng)(zheng)向電流為(wei)規定值時(shi)，正(zheng)(zheng)負極(ji)之間所產生的(de)電壓降。

4、正向電流IF：在被測管兩端(duan)加一(yi)定的(de)正向電(dian)壓(ya)時二極管中流過的(de)電(dian)流。結(jie)電(dian)容(rong)CJ：在規定偏壓(ya)下，被測管兩端(duan)的(de)電(dian)容(rong)值。

5、反向擊穿電壓V（BR）CEO：發(fa)光二(er)極(ji)管(guan)開(kai)路(lu)，集電(dian)極(ji)電(dian)流IC為規定值，集電(dian)極(ji)與發(fa)射集間的電(dian)壓降。

6、輸出飽和壓降VCE（sat）：發光二極(ji)管(guan)工(gong)作(zuo)電(dian)流(liu)IF和集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu)IC為規(gui)定值時(shi)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shi)（CTRmin在被測管(guan)技術條件(jian)中規(gui)定）集(ji)電(dian)極(ji)與發射極(ji)之間的(de)電(dian)壓降。

7、反向截止電流ICEO：發光(guang)二極(ji)管開路，集電(dian)(dian)極(ji)至發射(she)極(ji)間的電(dian)(dian)壓(ya)為規定值(zhi)時，流過集電(dian)(dian)極(ji)的電(dian)(dian)流為反向截止電(dian)(dian)流。

8、電流傳(chuan)輸比(bi)CTR：輸出(chu)(chu)管的工作電壓為(wei)規定值(zhi)時，輸出(chu)(chu)電流和發光二極管正向電流之比(bi)為(wei)電流傳(chuan)輸比(bi)CTR。

9、脈沖上升時間tr，下降時間tf：光(guang)耦(ou)合器在規(gui)定工作條件下(xia)，發(fa)光(guang)二極管輸入規(gui)定電流IFP的脈(mo)沖波，輸出(chu)(chu)端管則輸出(chu)(chu)相應的脈(mo)沖波，從輸出(chu)(chu)脈(mo)沖前沿幅(fu)度的10%到(dao)90%，所需時(shi)(shi)間(jian)為脈(mo)沖上升時(shi)(shi)間(jian)tr。從輸出(chu)(chu)脈(mo)沖后沿幅(fu)度的90%到(dao)10%，所需時(shi)(shi)間(jian)為脈(mo)沖下(xia)降時(shi)(shi)間(jian)tf。

10、傳輸延遲時間tPHL，tPLH：從輸(shu)(shu)入(ru)脈沖前沿(yan)幅度的(de)50%到輸(shu)(shu)出(chu)脈沖電平(ping)下降(jiang)到1.5V時(shi)(shi)所需(xu)時(shi)(shi)間(jian)為傳(chuan)輸(shu)(shu)延遲時(shi)(shi)間(jian)tPHL。從輸(shu)(shu)入(ru)脈沖后(hou)沿(yan)幅度的(de)50%到輸(shu)(shu)出(chu)脈沖電平(ping)上升到1.5V時(shi)(shi)所需(xu)時(shi)(shi)間(jian)為傳(chuan)輸(shu)(shu)延遲時(shi)(shi)間(jian)tPLH。

11、入出間隔離電容CIO：光耦合器(qi)件輸入端和輸出端之(zhi)間的電(dian)容值。

12、入出間隔離電阻RIO：半導體光耦合器輸入端和輸出端之(zhi)間的絕緣電阻值(zhi)。

13、入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸(shu)入端和輸(shu)出端之間絕(jue)緣耐壓(ya)值。

二、光電耦合器有哪些基本工作特性

1、共模抑制比很高

在光電(dian)耦(ou)(ou)合(he)器內部，由于發(fa)光管和受光器之間的耦(ou)(ou)合(he)電(dian)容(rong)很(hen)(hen)小(xiao)（2pF以內）所以共模(mo)輸入電(dian)壓通過極間耦(ou)(ou)合(he)電(dian)容(rong)對輸出電(dian)流的影(ying)響很(hen)(hen)小(xiao)，因而共模(mo)抑(yi)制(zhi)比很(hen)(hen)高(gao)。

2、輸出特性

光(guang)電(dian)耦(ou)合器的(de)輸出特性(xing)(xing)是(shi)指在一(yi)定的(de)發光(guang)電(dian)流IF下，光(guang)敏管(guan)所加偏置電(dian)壓VCE與(yu)(yu)輸出電(dian)流IC之(zhi)間的(de)關系，當IF=0時(shi)(shi)，發光(guang)二(er)極(ji)管(guan)不發光(guang)，此時(shi)(shi)的(de)光(guang)敏晶(jing)體管(guan)集(ji)電(dian)極(ji)輸出電(dian)流稱為暗電(dian)流，一(yi)般(ban)很小。當IF>0時(shi)(shi)，在一(yi)定的(de)IF作用(yong)下，所對(dui)應的(de)IC基本上與(yu)(yu)VCE無關。IC與(yu)(yu)IF之(zhi)間的(de)變化成線性(xing)(xing)關系，用(yong)半導體管(guan)特性(xing)(xing)圖示儀測(ce)出的(de)光(guang)電(dian)耦(ou)合器的(de)輸出特性(xing)(xing)與(yu)(yu)普通晶(jing)體三極(ji)管(guan)輸出特性(xing)(xing)相似。

3、隔離特性

（1）隔離電壓Vio：光耦(ou)合器輸(shu)入(ru)端和輸(shu)出端之(zhi)間(jian)絕(jue)緣耐壓值。

（2）隔離電容Cio：光耦合器輸(shu)入端和輸(shu)出(chu)端之間的電(dian)容值。

（3）隔離(li)電阻Rio：半導體光(guang)耦合器(qi)輸(shu)入端和輸(shu)出端之間的絕緣電阻值(zhi)。

4、傳輸特性

（1）電(dian)流(liu)傳輸比(bi)CTR：輸出管(guan)的工(gong)作電(dian)壓為規(gui)定值時，輸出電(dian)流(liu)和發光二極(ji)管(guan)正(zheng)向(xiang)電(dian)流(liu)之比(bi)為電(dian)流(liu)傳輸比(bi)CTR。

（2）上升(sheng)時(shi)(shi)間(jian)和下降(jiang)時(shi)(shi)間(jian)：光電耦合器在規定工(gong)作條件下，發光二極管(guan)(guan)輸(shu)(shu)入規定電流(liu)IFP的(de)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)波，輸(shu)(shu)出(chu)端管(guan)(guan)則(ze)輸(shu)(shu)出(chu)相應的(de)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)波，從輸(shu)(shu)出(chu)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)前(qian)沿幅度的(de)10%到(dao)90%，所(suo)需(xu)時(shi)(shi)間(jian)為(wei)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)上升(sheng)時(shi)(shi)間(jian)tr。從輸(shu)(shu)出(chu)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)后(hou)沿幅度的(de)90%到(dao)10%，所(suo)需(xu)時(shi)(shi)間(jian)為(wei)脈(mo)沖(chong)(chong)(chong)下降(jiang)時(shi)(shi)間(jian)tf。