一、手機芯片是怎么制造出來的
在移動互聯網的(de)(de)普及下,手機已經成為我(wo)們的(de)(de)標配設備,而手機性能的(de)(de)好壞,主要取決于(yu)手機芯片。手機芯片從(cong)需求提(ti)出到(dao)投入應用大體分為兩個階段:
1、手機芯片設計
手機(ji)芯片(pian)的(de)(de)(de)設(she)(she)計(ji)流程往往分為前(qian)端設(she)(she)計(ji)和(he)后端設(she)(she)計(ji),前(qian)端設(she)(she)計(ji)更側(ce)重(zhong)于軟件的(de)(de)(de)設(she)(she)計(ji),更加注重(zhong)邏輯;后端設(she)(she)計(ji)則(ze)要更多地考慮工藝手段,設(she)(she)計(ji)人員需要根(gen)據芯片(pian)生產方的(de)(de)(de)能力(li)(例如溝道寬度(du))來設(she)(she)計(ji)相(xiang)應的(de)(de)(de)芯片(pian)。
2、手機芯片制造
比起芯(xin)片(pian)的設(she)計,芯(xin)片(pian)制(zhi)造(zao)的難度更大,技術壁壘更高(gao)。一般認為芯(xin)片(pian)的生(sheng)產與制(zhi)造(zao)可(ke)以(yi)大體分為晶(jing)圓(yuan)制(zhi)造(zao)、晶(jing)圓(yuan)光刻、摻加(jia)雜質和封裝測試四個步驟:
(1)晶(jing)圓(yuan)制(zhi)(zhi)造(zao):制(zhi)(zhi)造(zao)芯(xin)片的物質基礎是晶(jing)元(yuan),由(you)石英砂精煉得來,將提純后的硅制(zhi)(zhi)成硅晶(jing)棒即(ji)可(ke)得到制(zhi)(zhi)造(zao)集成電路的半導體材(cai)料。
(2)晶圓(yuan)光刻(ke)顯(xian)影、蝕(shi)刻(ke):電(dian)路中復雜的邏輯(ji)組(zu)合與(yu)走線(xian)并不是通(tong)過傳統(tong)意(yi)義(yi)上的“雕刻(ke)”或“拼接”完成的,而是通(tong)過光刻(ke)機對指定位置進行(xing)蝕(shi)刻(ke),這一(yi)過程極(ji)為(wei)精(jing)密(mi)和(he)復雜。
(3)摻(chan)加雜質:眾所周知(zhi),集成(cheng)電路的(de)基礎是PN結,要想形成(cheng)PN結,就(jiu)(jiu)必須在不同(tong)(tong)的(de)晶元(yuan)里(li)摻(chan)加不同(tong)(tong)的(de)雜質(本(ben)質上(shang)而言是加入P、N型(xing)雜質,改變其導(dao)電性質)。越(yue)是復(fu)雜的(de)集成(cheng)電路,其立(li)體(ti)結構就(jiu)(jiu)越(yue)復(fu)雜,摻(chan)加雜質的(de)步驟也就(jiu)(jiu)越(yue)復(fu)雜。
(4)封裝測試:經過上(shang)述流程,芯片(pian)制造(zao)商就(jiu)完(wan)成(cheng)了(le)從(cong)版圖到(dao)芯片(pian)實體的流程,但芯片(pian)能(neng)否(fou)具(ju)體工作,其電氣性能(neng)是否(fou)達標(biao),還需要(yao)完(wan)成(cheng)測試才(cai)能(neng)確定(ding)。因此,芯片(pian)制造(zao)廠商均需要(yao)一批后端測試人(ren)員(yuan)對(dui)芯片(pian)的性能(neng)進行測試。
二、手機芯片中國能生產嗎
國(guo)內(nei)半導體芯(xin)片(pian)制造一(yi)直(zhi)是(shi)比(bi)較受大家關注的一(yi)個話題,現在(zai)大家幾(ji)乎人手(shou)一(yi)臺智能手(shou)機(ji),對(dui)于手(shou)機(ji)芯(xin)片(pian)的關注更多(duo),那么我國(guo)有沒有生(sheng)產手(shou)機(ji)芯(xin)片(pian)的能力呢?
和電腦芯片一樣,手機芯片實際上也是光刻機制造出來的,我國并不是沒有生產手機芯片的能力,只不過和主流的手機芯片相比,我國生產出的手機芯片在(zai)制程工藝、性能(neng)(neng)(neng)方(fang)面(mian)都(dou)有較大的差距:主流的智能(neng)(neng)(neng)手機所(suo)使用的芯片(pian)都(dou)是7nm及(ji)以下的高(gao)端半導體芯片(pian),而國產手機芯片(pian)暫時(shi)還只能(neng)(neng)(neng)做到14nm。
在手機(ji)芯片(pian)制(zhi)造領域(yu),晶圓光刻顯影、蝕(shi)刻和摻加雜質的(de)(de)步(bu)驟是我國比(bi)較欠缺的(de)(de),而晶圓制(zhi)造能力基(ji)本上(shang)可以實現國產(chan)自用,封裝(zhuang)測試環節技(ji)術含量不(bu)高,我國也不(bu)存(cun)在明顯的(de)(de)落后。