cpu制程工藝7nm和5nm有什么區別
我們一般說的芯片14nm、10nm、7nm、5nm,指的是芯片的制程工藝,也就是處理內CPU和GPU表面晶體(ti)管(guan)門電(dian)路(lu)的尺寸。一般來說制程工藝先進(jin),晶體(ti)管(guan)的體(ti)積就(jiu)越(yue)小(xiao),那么相同尺寸的芯片表面可以容納的晶體(ti)管(guan)數量就(jiu)越(yue)多,性能也(ye)就(jiu)越(yue)強。
在(zai)整個芯片(pian)電(dian)路中(zhong),晶體管的(de)(de)(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)是最窄的(de)(de)(de)(de)(de)線條,如果柵(zha)極(ji)是14nm,則表明使用的(de)(de)(de)(de)(de)是14nm工藝(yi)制程,同(tong)理可推,7nm、5nm工藝(yi)制程就(jiu)是指(zhi)不(bu)同(tong)規格(ge)的(de)(de)(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)。工藝(yi)制程越先進,意味著同(tong)樣面積的(de)(de)(de)(de)(de)芯片(pian)可以容(rong)納更多的(de)(de)(de)(de)(de)晶體管,帶來(lai)性能上的(de)(de)(de)(de)(de)提升。工藝(yi)越先進,意味著需(xu)要的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)壓、電(dian)流(liu)也就(jiu)越小,發(fa)熱量(liang)勢必(bi)會同(tong)步降低(di),也就(jiu)是說工藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)提升勢必(bi)會帶來(lai)功耗的(de)(de)(de)(de)(de)降低(di)。
所(suo)以從理論(lun)上來(lai)說,同一單位面積下,5nm柵極寬(kuan)度的(de)(de)(de)芯片比7nm柵極寬(kuan)度的(de)(de)(de)芯片性能更(geng)強(qiang),功耗更(geng)低。按照芯片制造(zao)工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)技術角(jiao)度來(lai)看,5nm制程工(gong)藝(yi)已經很(hen)接近極限了,但所(suo)謂的(de)(de)(de)納(na)米級芯片制造(zao)工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)數值,并不(bu)能真正(zheng)的(de)(de)(de)代表柵極寬(kuan)度的(de)(de)(de)數值。
至于(yu)(yu)5nm芯片(pian)和(he)7nm芯片(pian)的(de)差(cha)別在哪里,除(chu)了(le)(le)(le)工(gong)藝的(de)技(ji)術難度不同,感知最強(qiang)的(de)差(cha)別就(jiu)是性能(neng)了(le)(le)(le),拿5nm工(gong)藝的(de)蘋(pin)果(guo)A14和(he)7nm工(gong)藝的(de)蘋(pin)果(guo)A13為例,A14有(you)118億個晶體(ti)管,A13有(you)85億個晶體(ti)管,A14相較(jiao)于(yu)(yu)A13,CPU性能(neng)增幅大(da)(da)概(gai)(gai)16%,GPU性能(neng)增幅大(da)(da)概(gai)(gai)8.3。雖說A14相較(jiao)于(yu)(yu)A13的(de)整體(ti)性能(neng)提(ti)升(sheng)不大(da)(da),但5nm工(gong)藝現(xian)在已經很接近(jin)極(ji)限了(le)(le)(le),A14芯片(pian)增加了(le)(le)(le)5G基帶(dai)的(de)使用,對于(yu)(yu)芯片(pian)體(ti)積(ji)和(he)兼(jian)容度要求大(da)(da)大(da)(da)提(ti)高,CPU和(he)GPU能(neng)夠提(ti)升(sheng)到如此(ci)已經很難得了(le)(le)(le)。
cpu工藝制程越小越好嗎
芯片本質上是一個集成電路,制程工藝越小,在同樣面積上集成的電路越復雜,電路的性能就越強。手機、電腦等設備在(zai)追(zhui)求(qiu)輕薄的同時,實現能效的最大化,所(suo)以處理芯片的制程工藝當然是越小越好。
其實(shi)除了能(neng)耗(hao)以(yi)外,更(geng)(geng)小的(de)(de)制程意(yi)味著(zhu)在(zai)同(tong)等的(de)(de)單位尺寸中可(ke)以(yi)塞(sai)入(ru)更(geng)(geng)多的(de)(de)晶(jing)體管(guan),而(er)作為運算芯(xin)片的(de)(de)基本組成(cheng)部分,更(geng)(geng)多的(de)(de)晶(jing)體管(guan)數量顯然能(neng)夠(gou)提供更(geng)(geng)好的(de)(de)性能(neng),畢(bi)竟(jing)芯(xin)片不(bu)能(neng)做(zuo)到無(wu)窮(qiong)大(da)。而(er)且由于(yu)單一(yi)芯(xin)片的(de)(de)面積越(yue)小,同(tong)一(yi)塊晶(jing)圓可(ke)以(yi)切割出更(geng)(geng)多的(de)(de)芯(xin)片,制造商的(de)(de)制作成(cheng)本也相應降低。
所以簡(jian)單概(gai)括(kuo)就(jiu)是,更小(xiao)的制(zhi)程是硅芯片發(fa)(fa)展的方向,得益于更小(xiao)的制(zhi)程可以實現更少(shao)的發(fa)(fa)熱和更好的能耗(hao)比(bi),而(er)且在完成(cheng)(cheng)初期投(tou)入之(zhi)后,也能帶來(lai)制(zhi)造成(cheng)(cheng)本的降低。