一、固態硬盤的種類有哪些

（一）根據接口分

1、SATA 3.0接口

作為最常見的接口，采用SATA 3.0接口的固態硬盤擁(yong)有較(jiao)高的性價(jia)比。和上代SATA 2.0接口(kou)相比，SATA 3.0接口(kou)的傳輸(shu)速度可達(da)6GB/S。

2、MSATA接口

MSATA接(jie)(jie)(jie)口(kou)(kou)全稱為(wei)【Mini-SATA】接(jie)(jie)(jie)口(kou)(kou)，采用(yong)該接(jie)(jie)(jie)口(kou)(kou)的固(gu)態(tai)硬(ying)盤比SATA 3.0接(jie)(jie)(jie)口(kou)(kou)的固(gu)態(tai)硬(ying)盤在體(ti)積(ji)上要(yao)小很多。由(you)于體(ti)積(ji)的優勢，MSATA接(jie)(jie)(jie)口(kou)(kou)的固(gu)態(tai)硬(ying)盤常見用(yong)于輕薄筆記本，其傳(chuan)輸速(su)度和穩定性和SATA 3.0接(jie)(jie)(jie)口(kou)(kou)的固(gu)態(tai)硬(ying)盤沒有(you)區別(bie)。

3、M.2接口

M.2接口的固態(tai)硬盤擁(yong)有體積小，性能強(qiang)的優點。目(mu)前，主流的主板和M.2接口固態(tai)硬盤都(dou)支持PCI-E 3.0 x 4通道，理論帶(dai)寬可達32Gbps，性能十分出眾。

4、PCI-E接口

PCI-E接(jie)口的(de)固態硬(ying)盤(pan)只(zhi)能用(yong)于(yu)(yu)臺式機，它采用(yong)通過總線與CPU直連的(de)方式，擁(yong)有優于(yu)(yu)M.2接(jie)口固態硬(ying)盤(pan)的(de)性能，但是價格比較高，適用(yong)性也比較低。

除此之外(wai)，固態(tai)硬盤還有SATA-express、SAS、U.2等接(jie)口類型。

（二）根據存儲介質分

固態硬盤(pan)的存儲介質分為(wei)(wei)兩(liang)種，一種是采(cai)用閃存（FLASH芯片）作(zuo)(zuo)為(wei)(wei)存儲介質，另外一種是采(cai)用DRAM作(zuo)(zuo)為(wei)(wei)存儲介質。最新還有英特爾的XPoint顆粒技術。

1、基于閃存的固態硬盤

基于(yu)閃存的固(gu)態硬盤(pan)（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采用(yong)FLASH芯(xin)片作為(wei)存儲介質，這也是(shi)通常所說(shuo)的SSD。它的外觀可以被制作成多種模樣(yang)，例如(ru)：筆記(ji)本硬盤(pan)、微硬盤(pan)、存儲卡、U盤(pan)等樣(yang)式(shi)。這種SSD固(gu)態硬盤(pan)最(zui)大的優點就是(shi)可以移動，而且(qie)數據保護(hu)不受(shou)電源(yuan)控(kong)制，能適(shi)應(ying)于(yu)各種環(huan)境，適(shi)合于(yu)個人用(yong)戶使用(yong)，壽命較長，可靠性很高，高品質的家用(yong)固(gu)態硬盤(pan)可輕松(song)達到(dao)普通家用(yong)機械硬盤(pan)十分之(zhi)一的故(gu)障率。

2、基于DRAM類

基于(yu)DRAM的(de)(de)固態硬(ying)盤：采用(yong)(yong)(yong)DRAM作(zuo)為(wei)存(cun)儲介質，應用(yong)(yong)(yong)范圍(wei)較窄。它仿效傳統(tong)硬(ying)盤的(de)(de)設(she)計，可被絕大部分操(cao)作(zuo)系統(tong)的(de)(de)文件系統(tong)工(gong)具進行卷(juan)設(she)置(zhi)和(he)(he)管理(li)，并提(ti)供工(gong)業標(biao)準的(de)(de)PCI和(he)(he)FC接(jie)口用(yong)(yong)(yong)于(yu)連(lian)接(jie)主機或(huo)者服務器(qi)。應用(yong)(yong)(yong)方式可分為(wei)SSD硬(ying)盤和(he)(he)SSD硬(ying)盤陣列(lie)兩(liang)種。它是(shi)一(yi)種高性能的(de)(de)存(cun)儲器(qi)，理(li)論上可以無限寫(xie)入，美(mei)中不足的(de)(de)是(shi)需(xu)要(yao)獨立電源來(lai)保護數據安全。DRAM固態硬(ying)盤屬于(yu)比較非主流(liu)的(de)(de)設(she)備(bei)。

3、基于3D XPoint類

基于3D XPoint的(de)固態硬(ying)盤(pan)：原(yuan)理上(shang)接近(jin)DRAM，但(dan)是屬于非易失存(cun)儲。讀(du)取延時(shi)極低(di)，可輕松達到現(xian)有固態硬(ying)盤(pan)的(de)百(bai)分之一(yi)，并且有接近(jin)無限(xian)的(de)存(cun)儲壽(shou)命。缺點(dian)是密(mi)度相對NAND較低(di)，成本極高，多用于發燒級臺式機(ji)和數(shu)據中心。

二、固態硬盤的內部結構

簡(jian)單一句概(gai)括：固態硬盤(pan)=PCB板+主控芯(xin)片(pian)+緩存顆粒(li)+閃存芯(xin)片(pian)。

固態硬盤的(de)內部(bu)構造十(shi)分(fen)簡單(dan)，固態硬盤(pan)內主體其實(shi)就是一塊PCB板，而這塊PCB板上最基本(ben)的(de)配件就是控制芯片，緩(huan)存(cun)芯片（部(bu)分(fen)低(di)端(duan)硬盤(pan)無緩(huan)存(cun)芯片）和用于存(cun)儲(chu)數據的(de)閃存(cun)芯片。

1、PCB板

主要負(fu)責板(ban)上各(ge)(ge)部件(jian)(jian)、外部的電腦各(ge)(ge)硬件(jian)(jian)進(jin)行數據交互。

2、主控芯片

市(shi)面(mian)上(shang)(shang)比較常(chang)(chang)見的固態硬盤有LSISandForce、Indilinx、JMicron、Marvell、Phison、Sandisk、Goldendisk、Samsung以及Intel等多(duo)種主控芯(xin)(xin)片。主控芯(xin)(xin)片是固態硬盤的大腦，其(qi)作用一是合理調配數(shu)據在(zai)各個(ge)閃(shan)存芯(xin)(xin)片上(shang)(shang)的負荷(he)，二則是承擔了整個(ge)數(shu)據中轉(zhuan)，連(lian)接閃(shan)存芯(xin)(xin)片和(he)外部SATA接口。不(bu)同的主控之間能力相差(cha)非常(chang)(chang)大，在(zai)數(shu)據處(chu)理能力、算(suan)法，對閃(shan)存芯(xin)(xin)片的讀取寫入控制上(shang)(shang)會(hui)有非常(chang)(chang)大的不(bu)同，直(zhi)接會(hui)導致固態硬盤產品在(zai)性能上(shang)(shang)差(cha)距(ju)高達(da)數(shu)倍。

3、緩存顆粒

主(zhu)控芯(xin)片(pian)(pian)旁(pang)邊是緩存(cun)顆(ke)粒，固(gu)態硬(ying)盤(pan)和(he)傳統硬(ying)盤(pan)一樣(yang)需要高速的緩存(cun)芯(xin)片(pian)(pian)輔助主(zhu)控芯(xin)片(pian)(pian)進行數(shu)據(ju)處理。緩存(cun)顆(ke)粒容量比同一塊(kuai)PCB板上的閃存(cun)顆(ke)粒小很(hen)多，但讀(du)寫速度會快很(hen)多，電腦(nao)進行硬(ying)盤(pan)讀(du)寫，一般會優(you)先使用緩存(cun)顆(ke)粒。不(bu)過有一些廉(lian)價(jia)固(gu)態硬(ying)盤(pan)方(fang)案為(wei)了節(jie)省成本，省去了這塊(kuai)緩存(cun)芯(xin)片(pian)(pian)，這樣(yang)對(dui)于(yu)使用時的性能(neng)會有一定的影響，尤其是小文件(jian)的讀(du)寫性能(neng)和(he)使用壽(shou)命(ming)上。

4、閃存芯片

除了主控芯片(pian)和緩(huan)存芯片(pian)外(wai)，PCB板(ban)上其(qi)余大部分(fen)位置(zhi)都(dou)是(shi)NAND Flash閃(shan)存芯片(pian)。

NAND Flash閃存芯片又分為(wei)SLC（Single-Level Cell，單(dan)(dan)(dan)層單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)）、MLC（Multi-Level Cell，雙層單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)）、TLC（Trinary-Level Cell，三(san)層單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)）、QLC（Quad-Level Cell，四層單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)）這四種(zhong)規(gui)格(ge)。

另還有一(yi)種eMLC（Enterprise Multi-Level Cell，企業多層單元）是MLC NAND閃存的一(yi)個“增強型”的版本，它(ta)在一(yi)定程度上彌補了SLC和(he)MLC之間(jian)的性能和(he)耐久(jiu)差距(ju)。