芯片制作流程

1、濕洗

用各種試(shi)劑保持硅晶圓表面沒有雜質。

2、光刻

用紫外線透過蒙(meng)版(ban)照射硅(gui)(gui)晶圓(yuan)，被照到的(de)地方就會容易(yi)被洗掉，沒被照到的(de)地方就保持(chi)原(yuan)樣. 于是(shi)就可以在硅(gui)(gui)晶圓(yuan)上面刻出想要的(de)圖(tu)案(an). 注意，此(ci)時還沒有(you)加入雜(za)質，依然是(shi)一(yi)個硅(gui)(gui)晶圓(yuan)。

3、 離子注入

在硅晶圓(yuan)不同(tong)的(de)位(wei)(wei)置加入不同(tong)的(de)雜質，不同(tong)雜質根據濃度/位(wei)(wei)置的(de)不同(tong)就(jiu)組成了場(chang)效應管。

該圖片由注冊用戶"科技數碼行"提供，版權聲明反饋

4、蝕刻

（1）干蝕刻(ke)(ke) ：之前用光刻(ke)(ke)出來的形狀(zhuang)有許多其實不(bu)是我們需要的，而是為了離(li)子注入而蝕刻(ke)(ke)的。現(xian)在就要用等離(li)子體把他們洗(xi)掉，或(huo)者(zhe)是一些第(di)一步光刻(ke)(ke)先(xian)不(bu)需要刻(ke)(ke)出來的結構，這一步進行蝕刻(ke)(ke)。

（2）濕蝕(shi)刻 ：進(jin)一步洗掉，但(dan)是(shi)用的是(shi)試劑，所以叫濕蝕(shi)刻。以上步驟完成后，場效應管就(jiu)已經被做(zuo)出來(lai)啦，但(dan)是(shi)以上步驟一般(ban)都不止做(zuo)一次，很可能需要反(fan)反(fan)復復的做(zuo)，以達到要求。

5、等離子沖洗

用較弱(ruo)的等離子(zi)束(shu)轟擊整個芯(xin)片。

6、熱處理

（1）快速熱(re)退火：就是瞬間把整個片(pian)子(zi)通(tong)過(guo)大功(gong)率燈(deng)啥的照(zhao)到1200攝(she)氏(shi)度以上，然(ran)后慢(man)慢(man)地冷卻下(xia)來，為了使得(de)注入(ru)的離子(zi)能(neng)更好的被啟動(dong)以及熱(re)氧化。

（2）退火。

（3）熱氧化 ：制造出(chu)二氧化硅，也即場效應管的柵極(gate) 。

7、化學氣相淀積

進(jin)一步精細處(chu)理表面(mian)的(de)各種物質。

8、物理氣相淀積

類似，而(er)且可以給敏感部件加(jia)coating。

9、分子束外延

如果需(xu)要(yao)長單晶的(de)話就需(xu)要(yao)。

10、電鍍處理

11、化學/機械表面處理

12、晶圓測試

13、晶圓打磨

14、出廠封裝

芯片和集成電路的區別

1、定義不同

（1）集成電路是指組成(cheng)電(dian)路的(de)(de)有源器件(jian)、無源元件(jian)及(ji)其(qi)互連一(yi)起制(zhi)作(zuo)在半導體襯(chen)底上(shang)或絕緣基(ji)片上(shang)，形成(cheng)結(jie)構上(shang)緊密聯系的(de)(de)、內部相關的(de)(de)事例電(dian)子電(dian)路。它(ta)可分(fen)為半導體集成(cheng)電(dian)路、膜集成(cheng)電(dian)路、混(hun)合集成(cheng)電(dian)路三個(ge)主要分(fen)支。

（2）芯(xin)片就是(shi)半導體元件產品的(de)統(tong)稱，是(shi)集成(cheng)電路的(de)載體，由晶圓分割而(er)成(cheng)。

2、范圍不同

（1）芯(xin)片就(jiu)是芯(xin)片，一般(ban)是指你肉眼能(neng)夠看到(dao)的長(chang)滿了很多小腳的或者腳看不(bu)到(dao)，但是很明顯的方形(xing)的那塊(kuai)東西。不(bu)過，芯(xin)片也包括各種各樣(yang)的芯(xin)片，比如基帶的、電壓轉換的等等。

（2）集(ji)成電(dian)(dian)路范圍要廣多(duo)了，把一(yi)些(xie)電(dian)(dian)阻電(dian)(dian)容二極管集(ji)成到一(yi)起就算是(shi)(shi)集(ji)成電(dian)(dian)路了，可(ke)能(neng)是(shi)(shi)一(yi)塊模(mo)擬信號轉換的芯(xin)片，也可(ke)能(neng)是(shi)(shi)一(yi)塊邏輯(ji)控(kong)制的芯(xin)片，但(dan)是(shi)(shi)總得來說，這個概念更加偏向于底層的東西。