【瓷片電容】瓷片電容的讀(du)數方(fang)法 瓷片電容有什么(me)作用

瓷片電容的讀數方法

電容器容量的表示方法

電容器容量的(de)基本單位(wei)是“法(fa)(fa)拉”（F），1法(fa)(fa)拉的(de) 1/1000000 （百萬分之一）是1微(wei)法(fa)(fa)（μF），1微(wei)法(fa)(fa)的(de) 1/1000000是1pF （1微(wei)微(wei)法(fa)(fa)或1皮(pi)法(fa)(fa)）。它(ta)們(men)之間的(de)關系是百萬（或稱10的(de)6次方）進位(wei)關系。

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我(wo)們常用的電容有：

1、電解(jie)電容(rong)：多數在1μF以上，直接(jie)用數字表示。如：4.7μF、100μF、220μF等(deng)等(deng)。這種電容(rong)的兩極(ji)有(you)正負之分，長腳(jiao)是正極(ji)。

2、瓷片電(dian)容(rong)：多數在1μF以下(xia)，直接(jie)用數字表示。如：10、22、0.047、0.1等等，這里要注(zhu)意(yi)的是單位。凡用整數表示的，單位默(mo)(mo)認(ren)pF；凡用小數表示的，單位默(mo)(mo)認(ren)μF。如以上例子中，分(fen)別是10P、22P、0.047μF、220μF等。

現在國際上流行另一(yi)種類似色環電(dian)阻的表示方(fang)法(fa)（單(dan)位默認pF）：

如：“473”即47000pF=0.047μF，“103”即10000pF=0.01μF等(deng)等(deng)，“ XXX”第(di)(di)一、二個(ge)數(shu)(shu)字(zi)是有效數(shu)(shu)字(zi)，第(di)(di)三個(ge)數(shu)(shu)字(zi)代表(biao)后面(mian)添加0的個(ge)數(shu)(shu)。這種表(biao)示法已經相當普遍(bian)。

瓷片電容的讀數方法

瓷片電容(rong)的(de)讀(du)數方法(fa)和(he)電阻(zu)的(de)讀(du)數方法(fa)基(ji)本相同，分色標法(fa)、數標法(fa)和(he)直標法(fa)3種。瓷片電容(rong)的(de)基(ji)本單位(wei)用法(fa)拉（F）表(biao)示，其(qi)它單位(wei)還有：毫(hao)法(fa)（mF）、微法(fa)（μF）、納(na)(na)法(fa)（nF）、皮法(fa)（pF）。其(qi)中(zhong)：1法(fa)拉=1000毫(hao)法(fa)（mF），1毫(hao)法(fa)=1000微法(fa)（μF），1微法(fa)=1000納(na)(na)法(fa) （nF），1納(na)(na)法(fa)=1000皮法(fa)（pF）。

容(rong)(rong)量(liang)大的瓷片電容(rong)(rong)其容(rong)(rong)量(liang)值在(zai)電容(rong)(rong)上直接標明，如10μF/16V；

容(rong)(rong)量小(xiao)的(de)瓷片電(dian)容(rong)(rong)其容(rong)(rong)量值在電(dian)容(rong)(rong)上用(yong)字母(mu)表示或(huo)數字表示；

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；

數(shu)字(zi)(zi)表(biao)示(shi)法：三(san)位(wei)數(shu)字(zi)(zi)的(de)表(biao)示(shi)法也稱電容(rong)量的(de)數(shu)碼表(biao)示(shi)法。三(san)位(wei)數(shu)字(zi)(zi)的(de)前兩位(wei)數(shu)字(zi)(zi)為標(biao)稱容(rong)量的(de)有效(xiao)數(shu)字(zi)(zi)，第三(san)位(wei)數(shu)字(zi)(zi)表(biao)示(shi)有效(xiao)數(shu)字(zi)(zi)后面零的(de)個數(shu)，它們(men)的(de)單位(wei)都是pF。

例如(ru)：102表示標稱容(rong)量為1000pF。

211表示標稱容量(liang)為210pF。

214表(biao)示(shi)標(biao)稱容量(liang)為21x10（4）pF。

在這種表(biao)示法(fa)中有(you)一個特殊(shu)情(qing)況，就是當(dang)第三位數字用"9"表(biao)示時，是用有(you)效數字乘上10的-1次(ci)方來(lai)表(biao)示容量(liang)大小。例(li)如：219表(biao)示標稱容量(liang)為21x（10-1）pF=2.2pF。

瓷片電容規格有哪些

瓷片電容用高介電(dian)常數的電(dian)容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠(ji)壓成圓管、圓片或圓盤作為(wei)介質，在陶瓷表(biao)面涂覆一層金屬(shu)薄(bo)膜(mo),并(bing)用燒滲法將銀鍍(du)在陶瓷上作為(wei)電(dian)極制成的電(dian)容器。

瓷片電容有什么作用

1、容量(liang)損(sun)耗隨溫(wen)度頻率(lv)具高穩定性；

2、特殊的串聯結構適(shi)合于高電壓極長期工作(zuo)可靠性；

3、高(gao)(gao)電(dian)流(liu)爬升速率并適用于(yu)大電(dian)流(liu)回(hui)(hui)路無感型結構。通常用于(yu)高(gao)(gao)穩定振蕩(dang)回(hui)(hui)路中，作為回(hui)(hui)路、旁路電(dian)容器(qi)及墊(dian)整電(dian)容器(qi)如消(xiao)除高(gao)(gao)頻干擾。

瓷片電容器不宜(yi)使用在脈(mo)沖(chong)電路中，因(yin)為它(ta)們易(yi)于被脈(mo)沖(chong)電壓擊穿。

陶(tao)瓷(ci)有I類(lei)瓷(ci)，II類(lei)瓷(ci)，III類(lei)瓷(ci)之分，I類(lei)瓷(ci)，NP0，溫(wen)度(du)特(te)性(xing)(xing)，頻率特(te)性(xing)(xing)和(he)(he)電(dian)壓特(te)性(xing)(xing)佳，因介電(dian)常(chang)數不(bu)高，所以(yi)(yi)容(rong)(rong)量做(zuo)不(bu)大(da)；II類(lei)瓷(ci)，X7R次(ci)之，溫(wen)度(du)特(te)性(xing)(xing)和(he)(he)電(dian)壓特(te)性(xing)(xing)較(jiao)好(hao)；III類(lei)瓷(ci)，介電(dian)常(chang)數高，所以(yi)(yi)容(rong)(rong)量可(ke)以(yi)(yi)做(zuo)很大(da)，但溫(wen)度(du)特(te)性(xing)(xing)和(he)(he)電(dian)壓特(te)性(xing)(xing)不(bu)太(tai)好(hao)。瓷(ci)片電(dian)容(rong)(rong)器(qi)(qi)一(yi)般體(ti)積不(bu)大(da)。另外，再強調一(yi)個(ge)重要特(te)點(dian)：瓷(ci)介電(dian)容(rong)(rong)器(qi)(qi)擊穿(chuan)后，往往呈短路(lu)狀態(tai)。（這(zhe)是它(ta)的(de)弱點(dian)）而薄膜(mo)電(dian)容(rong)(rong)器(qi)(qi)失效后，一(yi)般呈開路(lu)狀態(tai)

瓷片電容(rong)規格Ⅱ類(lei)瓷也叫做(zuo)高介電常數(shu)型(xing)（High Dielectric Constant Type），是(shi)適用於作旁路(lu)、耦合或(huo)用在對損耗和(he)電容(rong)量穩定(ding)性(xing)要求不高的電路(lu)中的具有高介電常數(shu)的一種電容(rong)器。該類(lei)陶瓷介質(zhi)是(shi)以(yi)在類(lei)別溫度范(fan)圍(wei)內電容(rong)量非線性(xing)變化來(lai)表徵。其特(te)性(xing)符(fu)合以(yi)下標準：

用途：1）旁路(lu)和耦合；2）對Q值和容量穩定性(xing)要求一般的分步(bu)電(dian)路(lu)。