【瓷(ci)片(pian)電(dian)容】瓷(ci)片(pian)電(dian)容的(de)讀數方法 瓷(ci)片(pian)電(dian)容有什么(me)作用

瓷片電容的讀數方法

電容器容量的表示方法

電(dian)容(rong)器容(rong)量的(de)基(ji)本單(dan)位(wei)是“法(fa)(fa)拉(la)”（F），1法(fa)(fa)拉(la)的(de) 1/1000000 （百(bai)萬分之(zhi)一(yi)）是1微法(fa)(fa)（μF），1微法(fa)(fa)的(de) 1/1000000是1pF （1微微法(fa)(fa)或1皮法(fa)(fa)）。它們之(zhi)間的(de)關系是百(bai)萬（或稱10的(de)6次方）進位(wei)關系。

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我們常用的電容(rong)有：

1、電解電容(rong)：多(duo)數在(zai)1μF以上，直(zhi)接用數字表示。如：4.7μF、100μF、220μF等等。這種(zhong)電容(rong)的兩極有正負(fu)之分，長腳是正極。

2、瓷片電(dian)容：多數在(zai)1μF以(yi)下，直接(jie)用(yong)數字表(biao)示。如：10、22、0.047、0.1等(deng)等(deng)，這里要注(zhu)意的是(shi)單(dan)(dan)位(wei)。凡用(yong)整數表(biao)示的，單(dan)(dan)位(wei)默(mo)認pF；凡用(yong)小(xiao)數表(biao)示的，單(dan)(dan)位(wei)默(mo)認μF。如以(yi)上例子中，分別是(shi)10P、22P、0.047μF、220μF等(deng)。

現在國際上流行另一種(zhong)類似色(se)環電阻的表(biao)示方法（單(dan)位默(mo)認pF）：

如(ru)：“473”即(ji)47000pF=0.047μF，“103”即(ji)10000pF=0.01μF等(deng)等(deng)，“ XXX”第一、二個數字(zi)是有(you)效數字(zi)，第三個數字(zi)代表后(hou)面添加0的個數。這種(zhong)表示法已經相當(dang)普遍。

瓷片電容的讀數方法

瓷片電(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)讀(du)數(shu)方(fang)法(fa)和電(dian)阻的(de)(de)讀(du)數(shu)方(fang)法(fa)基本(ben)相(xiang)同(tong)，分色標法(fa)、數(shu)標法(fa)和直標法(fa)3種。瓷片電(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)基本(ben)單位用法(fa)拉（F）表示，其(qi)它(ta)單位還有：毫(hao)(hao)法(fa)（mF）、微法(fa)（μF）、納法(fa)（nF）、皮法(fa)（pF）。其(qi)中(zhong)：1法(fa)拉=1000毫(hao)(hao)法(fa)（mF），1毫(hao)(hao)法(fa)=1000微法(fa)（μF），1微法(fa)=1000納法(fa) （nF），1納法(fa)=1000皮法(fa)（pF）。

容(rong)(rong)(rong)量大的瓷片電容(rong)(rong)(rong)其(qi)容(rong)(rong)(rong)量值在(zai)電容(rong)(rong)(rong)上(shang)直(zhi)接標明，如10μF/16V；

容量(liang)小的瓷片(pian)電容其容量(liang)值在電容上用字母表(biao)示(shi)或數(shu)字表(biao)示(shi)；

字(zi)母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；

數(shu)(shu)(shu)字表示(shi)法：三(san)位(wei)數(shu)(shu)(shu)字的表示(shi)法也稱電容(rong)量(liang)的數(shu)(shu)(shu)碼表示(shi)法。三(san)位(wei)數(shu)(shu)(shu)字的前(qian)兩位(wei)數(shu)(shu)(shu)字為標(biao)稱容(rong)量(liang)的有(you)效數(shu)(shu)(shu)字，第三(san)位(wei)數(shu)(shu)(shu)字表示(shi)有(you)效數(shu)(shu)(shu)字后面(mian)零的個數(shu)(shu)(shu)，它(ta)們(men)的單位(wei)都是(shi)pF。

例如：102表(biao)示標稱容(rong)量(liang)為1000pF。

211表示標稱容量(liang)為210pF。

214表示標稱容(rong)量為21x10（4）pF。

在這種表(biao)示(shi)(shi)法中有一個特(te)殊情況，就是當(dang)第(di)三位數字用"9"表(biao)示(shi)(shi)時(shi)，是用有效(xiao)數字乘上10的-1次方(fang)來表(biao)示(shi)(shi)容量大小。例如：219表(biao)示(shi)(shi)標稱容量為21x（10-1）pF=2.2pF。

瓷片電容規格有哪些

瓷片電容用高介電常數的電容器(qi)陶瓷〈鈦(tai)酸鋇(bei)一(yi)氧化(hua)鈦(tai)〉擠(ji)壓(ya)成圓管、圓片(pian)或(huo)圓盤(pan)作為(wei)介質，在陶瓷表面涂覆一(yi)層(ceng)金屬薄膜,并用燒(shao)滲法將銀鍍在陶瓷上作為(wei)電極(ji)制(zhi)成的電容器(qi)。

瓷片電容有什么作用

1、容(rong)量損(sun)耗隨溫度頻率具高(gao)穩定性(xing)；

2、特殊的串聯結構適(shi)合于高(gao)電壓(ya)極長期工(gong)作可靠性；

3、高電流爬(pa)升速率并適用(yong)(yong)于(yu)大電流回路無感型(xing)結構。通常(chang)用(yong)(yong)于(yu)高穩(wen)定振(zhen)蕩回路中，作(zuo)為回路、旁路電容器(qi)及墊整(zheng)電容器(qi)如消(xiao)除高頻干擾(rao)。

瓷片電容器不宜使用在(zai)脈沖電路(lu)中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

陶(tao)瓷(ci)有I類(lei)瓷(ci)，II類(lei)瓷(ci)，III類(lei)瓷(ci)之(zhi)分，I類(lei)瓷(ci)，NP0，溫度特(te)性(xing)(xing)，頻率特(te)性(xing)(xing)和(he)電(dian)壓特(te)性(xing)(xing)佳，因(yin)介電(dian)常數不高(gao)，所(suo)以容(rong)(rong)量做(zuo)不大；II類(lei)瓷(ci)，X7R次之(zhi)，溫度特(te)性(xing)(xing)和(he)電(dian)壓特(te)性(xing)(xing)較好(hao)；III類(lei)瓷(ci)，介電(dian)常數高(gao)，所(suo)以容(rong)(rong)量可(ke)以做(zuo)很大，但溫度特(te)性(xing)(xing)和(he)電(dian)壓特(te)性(xing)(xing)不太好(hao)。瓷(ci)片(pian)電(dian)容(rong)(rong)器(qi)一般(ban)(ban)體積不大。另(ling)外，再強調(diao)一個重(zhong)要特(te)點(dian)：瓷(ci)介電(dian)容(rong)(rong)器(qi)擊穿后，往往呈短路(lu)狀態。（這是它的弱點(dian)）而薄膜電(dian)容(rong)(rong)器(qi)失效(xiao)后，一般(ban)(ban)呈開(kai)路(lu)狀態

瓷片(pian)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)規格(ge)Ⅱ類(lei)瓷也(ye)叫(jiao)做高介(jie)電(dian)(dian)常數(shu)型（High Dielectric Constant Type），是適(shi)用(yong)於(wu)作旁路、耦合或用(yong)在對(dui)損耗和(he)電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)量(liang)穩定性(xing)要求不高的電(dian)(dian)路中的具有高介(jie)電(dian)(dian)常數(shu)的一種電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器。該類(lei)陶(tao)瓷介(jie)質是以在類(lei)別(bie)溫(wen)度范圍內電(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)量(liang)非(fei)線性(xing)變化來(lai)表徵。其特性(xing)符合以下標準：

用途：1）旁(pang)路和(he)耦合；2）對(dui)Q值和(he)容量穩定性要(yao)求一般的分步電路。