林蘭英(1918年2月(yue)(yue)7日—2003年3月(yue)(yue)4日),女,福建莆田人,半導(dao)體材料科學(xue)家,中(zhong)國(guo)科學(xue)院學(xue)部委員,中(zhong)國(guo)科學(xue)院半導(dao)體研究所研究員、博士生導(dao)師。
林(lin)蘭英(ying)于1940年(nian)(nian)從福建協和(he)大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)畢業(ye)后留校任(ren)教;1948年(nian)(nian)赴(fu)美留學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue),進入賓(bin)夕(xi)法尼(ni)亞州迪(di)金(jin)森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習(xi);1949年(nian)(nian)獲得(de)迪(di)金(jin)森學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)士(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位,同(tong)年(nian)(nian)進入賓(bin)夕(xi)法尼(ni)亞大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研(yan)究(jiu)(jiu)生院(yuan)進行(xing)固(gu)體物(wu)理(li)的(de)研(yan)究(jiu)(jiu),先后獲得(de)碩士(shi)、博(bo)(bo)士(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)位;1955年(nian)(nian)博(bo)(bo)士(shi)畢業(ye)后進入紐約長(chang)島的(de)索菲(fei)尼(ni)亞公司擔任(ren)高級工程師進行(xing)半導體研(yan)究(jiu)(jiu);1957年(nian)(nian)1月(yue)回(hui)到中國(guo)(guo)(guo),并進入中國(guo)(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)物(wu)理(li)研(yan)究(jiu)(jiu)所工作(zuo);1960年(nian)(nian)中國(guo)(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)半導體研(yan)究(jiu)(jiu)所成立后,林(lin)蘭英(ying)擔任(ren)該(gai)所研(yan)究(jiu)(jiu)員(yuan);1977年(nian)(nian)至(zhi)1983年(nian)(nian)擔任(ren)中國(guo)(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)半導體研(yan)究(jiu)(jiu)所副所長(chang);1980年(nian)(nian)當選為中國(guo)(guo)(guo)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)部委員(yuan)(院(yuan)士(shi));2003年(nian)(nian)3月(yue)4日在北京(jing)逝(shi)世,享年(nian)(nian)85歲。
林(lin)蘭(lan)英主(zhu)要從(cong)事半導體材料制備(bei)及(ji)物理的(de)研究(jiu)。在鍺單(dan)晶(jing)(jing)、硅單(dan)晶(jing)(jing)、砷化(hua)(hua)鎵(jia)單(dan)晶(jing)(jing)和高純銻化(hua)(hua)銦單(dan)晶(jing)(jing)的(de)制備(bei)及(ji)性質等研究(jiu)方面獲得成果,其中(zhong)砷化(hua)(hua)鎵(jia)氣相和液相外延單(dan)晶(jing)(jing)的(de)純度及(ji)電子(zi)遷移率(lv),均達到國際(ji)先進水平。
1918年2月7日(ri)(農歷丁巳年十二月二十六日(ri)),林(lin)蘭英出生于福建莆田(tian)縣。幼年為(wei)了(le)上學,經過(guo)一番絕食斗爭,家人同意林(lin)蘭英上了(le)礪青小學,林(lin)蘭英在(zai)礪青小學的成績始終在(zai)有著(zhu)40多名男女學生的班中占居前兩名,校長彭(peng)介之決定保送她(ta)進(jin)入礪青中學。
1930年(nian)9月,進(jin)入礪(li)青中(zhong)(zhong)學(xue)初中(zhong)(zhong)部一(yi)年(nian)級,初中(zhong)(zhong)六個學(xue)期(qi)她都(dou)保持全年(nian)級第一(yi)。
1933年9月,進入莆田(tian)(tian)中學高(gao)(gao)中部一(yi)年級,成了當(dang)時高(gao)(gao)一(yi)年級唯一(yi)的一(yi)名女生,后(hou)來由(you)于莆田(tian)(tian)中學搞起(qi)了學生運動,林蘭英對運動本無興趣,轉學至莆田(tian)(tian)縣惟一(yi)的一(yi)所教會女子中學———咸益中學就讀。
1936年,考入福建協和大學(xue)(現福建師范大學(xue))物理系。
1940年,從福(fu)建協和(he)大學畢業后作為優秀生(sheng)留校任助(zhu)教。
1944年,擔任福建協(xie)和大學講師。
1947年(nian)5月(yue),福(fu)建(jian)(jian)協和大學(xue)與美(mei)國(guo)賓夕法(fa)尼亞州的(de)迪(di)金(jin)森學(xue)院建(jian)(jian)立互換留學(xue)生的(de)關系。
1948年8月9日,遠涉重洋到美國(guo)留學(xue),進入國(guo)賓夕法尼亞州的(de)迪金森學(xue)院數學(xue)系學(xue)習。
1949年,獲得迪金(jin)森(sen)學(xue)(xue)院數學(xue)(xue)學(xue)(xue)士學(xue)(xue)位,同(tong)時(shi)獲得美國(guo)大學(xue)(xue)榮(rong)譽學(xue)(xue)會(hui)迪金(jin)森(sen)分會(hui)獎勵她的一枚金(jin)鑰匙;同(tong)年深秋,進入賓夕(xi)法(fa)尼亞大學(xue)(xue)研(yan)究生院,開(kai)始了固體物理(li)的研(yan)究。
1951年,獲(huo)得賓夕(xi)法尼亞(ya)大學(xue)(xue)固體物(wu)理學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位,之后繼(ji)續攻讀博(bo)士學(xue)(xue)位,師從米(mi)勒教(jiao)授(shou)。
1955年6月,憑借博(bo)(bo)士(shi)論(lun)文(wen)《弱X射線(xian)輻照引起氯化(hua)鉀和氯化(hua)鈉晶體(ti)(ti)的(de)(de)膨脹》獲(huo)得賓(bin)夕法尼(ni)(ni)亞(ya)(ya)大學(xue)固體(ti)(ti)物理(li)學(xue)博(bo)(bo)士(shi)學(xue)位,是該(gai)校建(jian)校215年以來,第(di)(di)一位獲(huo)得博(bo)(bo)士(shi)學(xue)位的(de)(de)中國(guo)人,也是該(gai)校有(you)史以來的(de)(de)第(di)(di)一位女博(bo)(bo)士(shi)。博(bo)(bo)士(shi)畢業后,導(dao)師(shi)推薦她(ta)去(qu)紐約長島(dao)專司(si)(si)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)研(yan)究的(de)(de)索菲(fei)(fei)尼(ni)(ni)亞(ya)(ya)公(gong)司(si)(si)任(ren)高級(ji)工(gong)(gong)程師(shi)。之后,她(ta)被聘為從事半(ban)導(dao)體(ti)(ti)科研(yan)工(gong)(gong)作的(de)(de)索菲(fei)(fei)尼(ni)(ni)亞(ya)(ya)公(gong)司(si)(si)(Sylvania公(gong)司(si)(si))高級(ji)工(gong)(gong)程師(shi),靠林(lin)蘭(lan)英(ying)杰出(chu)的(de)(de)科學(xue)分析(xi)指導(dao),公(gong)司(si)(si)成功地造出(chu)了第(di)(di)一根硅單晶,不(bu)久,又為公(gong)司(si)(si)申報了兩項專利,公(gong)司(si)(si)三次提高她(ta)的(de)(de)年薪(xin)。林(lin)蘭(lan)英(ying)回國(guo)時索菲(fei)(fei)尼(ni)(ni)亞(ya)(ya)公(gong)司(si)(si)給(gei)她(ta)年薪(xin)10000美元,回國(guo)后每月207元人民幣。
1956年(nian)6月,林蘭(lan)英以(yi)“母(mu)親重病”為(wei)由,向印度駐美國(guo)大(da)使(shi)館提交回(hui)國(guo)申(shen)請,9月使(shi)館通知她填寫有關(guan)回(hui)國(guo)事(shi)宜的表格。
1957年1月29日,幾經(jing)周(zhou)折抗(kang)爭,林蘭英(ying)乘坐的客輪安抵香港,在國(guo)務(wu)院辦(ban)公廳周(zhou)密安排下,她走上了深圳羅湖橋頭,回到(dao)了中(zhong)國(guo),之后由大弟林文豪(hao)送(song)她經(jing)上海去北京,進入中(zhong)國(guo)科學(xue)院物理研究(jiu)所工作,歷任研究(jiu)員(yuan),副(fu)所長(chang)。
1960年(nian),擔任中國科(ke)學院半導體研(yan)究所研(yan)究員。
1966年(nian),“文(wen)(wen)革”開(kai)始那年(nian),她還與中(zhong)國第一位女院士林(lin)巧稚一同(tong)登上天安門城樓(lou),事后便跌(die)于“文(wen)(wen)革”的(de)沼澤中(zhong)。
1977年(nian)—1983年(nian),擔任(ren)中國科學(xue)院半(ban)導體研究(jiu)所副(fu)所長。
1980年(nian),當選為中國科學院(yuan)學部委(wei)員(院(yuan)士)。
2003年3月4日,在北京(jing)因病醫治無效(xiao)逝世,享(xiang)年85歲(sui)。
林蘭英先后負責研(yan)制成中國(guo)第一(yi)根硅、銻(ti)化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶,為中國(guo)微電子和光電子學(xue)的(de)(de)發(fa)展(zhan)奠定了基礎,負責研(yan)制的(de)(de)高純度汽相(xiang)和液相(xiang)外延材料(liao)達到國(guo)際先水平(ping)。開創了中國(guo)微重(zhong)力半導體(ti)材料(liao)科學(xue)研(yan)究新領域,并在砷化鎵晶體(ti)太空生長和性質研(yan)究方面取得(de)了一(yi)定的(de)(de)成績。
1958年秋(qiu)天,林蘭(lan)英研發出(chu)中(zhong)國第一(yi)(yi)根硅(gui)單(dan)晶(jing),為制(zhi)(zhi)(zhi)造出(chu)無位錯硅(gui)單(dan)晶(jing),林蘭(lan)英又投入研發硅(gui)單(dan)晶(jing)爐。她仔細考察、分析了蘇聯封(feng)閉式硅(gui)單(dan)晶(jing)爐,發現了不(bu)足,開(kai)始研究設(she)計中(zhong)國式硅(gui)單(dan)晶(jing)爐。1961年的(de)深秋(qiu),由(you)林蘭(lan)英主持(chi)設(she)計加(jia)工的(de)中(zhong)國第一(yi)(yi)臺(tai)開(kai)門式硅(gui)單(dan)晶(jing)爐制(zhi)(zhi)(zhi)造成功。1962年春,林蘭(lan)英依(yi)靠國產第一(yi)(yi)臺(tai)開(kai)門式硅(gui)單(dan)晶(jing)爐,正式啟動(dong)拉制(zhi)(zhi)(zhi)工作。中(zhong)國第一(yi)(yi)根無位錯的(de)硅(gui)單(dan)晶(jing)拉制(zhi)(zhi)(zhi)成功,無位錯達(da)國際先進水平。
根據2021年6月《莆(pu)田僑鄉時報》顯示,林蘭英先后(hou)四次(ci)獲得中國科(ke)學院科(ke)技進步獎一(yi)等獎,兩次(ci)獲國家科(ke)技進步二、三等獎。
時間 項目名稱 獎勵(li)名稱
1981年 4K和16K硅DRAM及提高成品率研究 中(zhong)國科(ke)(ke)學院科(ke)(ke)學技術進(jin)步獎一等(deng)獎
1985年 提高(gao)砷化鎵材料質量的研究 國家科(ke)學技(ji)術進步獎(jiang)二等獎(jiang)(排名第一)
1986年(nian) 高壓液封法生長熱穩定不摻雜半絕緣GaAs 中國(guo)科學(xue)院科學(xue)技術(shu)進步獎三等獎(排名第一)
1989年 微(wei)重力條件下從溶體(ti)生長GaAs單晶及性質研(yan)究 中國科學院科學技術(shu)進步獎一(yi)等獎(排名第一(yi))
1990年 等(deng)電子雜(za)質In在GaAs中(zhong)行為的(de)研(yan)究 中(zhong)國科(ke)學院科(ke)學技(ji)術進步獎(jiang)三等(deng)獎(jiang)(排名第一)
1991年 集成電路(lu)用半絕緣砷化鎵熱(re)穩定性和均勻性研究 中(zhong)國科學(xue)院科學(xue)技術進步獎(jiang)三(san)等獎(jiang)(排名第一)
1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維電子(zi)氣材(cai)料研制及其器件應(ying)用 中(zhong)國(guo)科(ke)(ke)學院(yuan)科(ke)(ke)學技術進(jin)步獎二等獎(排(pai)名第六)
1996年 ф2”和ф3”非摻Si-GaAs單晶(片)研究 中國科學院科學技(ji)術進(jin)步(bu)獎(jiang)(jiang)二等獎(jiang)(jiang)(排(pai)名第一)
1940年,林(lin)蘭(lan)英(ying)從福(fu)建協和大學(xue)畢(bi)業后作為優秀生留校(xiao)任助教,教授《普通物理學(xue)》《高(gao)等數學(xue)》《光學(xue)》《物性(xing)聲學(xue)》《電磁學(xue)》等課程。
時間 榮譽表彰 授予單(dan)位
1980年 中國科學院學部委員(院士) 中華(hua)人民(min)共和(he)國國務院
1996年 何梁何利基(ji)金科學(xue)與技術進步獎(jiang) 何梁何利基(ji)金
1998年 霍英東成就獎
林(lin)蘭英(ying)是中國(guo)半(ban)導(dao)體科學事業開(kai)拓者(zhe)之一。(中國(guo)科學院學部與院士評)
林蘭英從事(shi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)材料(liao)科學(xue)40年(nian),是中國(guo)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)材料(liao)科學(xue)的(de)奠基人,對中國(guo)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)材料(liao)科學(xue)的(de)發展(zhan)作出了重大貢獻。(何梁何利基金(jin)評)
林蘭英的(de)工作極大(da)地推進了中國半(ban)導(dao)體材料的(de)研究(jiu)高度,為微電(dian)子(zi)和光電(dian)子(zi)學的(de)發展(zhan)奠定了基礎,為中國太(tai)空事業做出巨大(da)貢(gong)獻(xian)。(《莆田僑鄉時(shi)報》評(ping))
林(lin)蘭(lan)英是中(zhong)(zhong)國(guo)半導體材(cai)(cai)料(liao)(liao)科(ke)技(ji)最著(zhu)名的(de)開拓(tuo)者,她帶動(dong)同事一(yi)起創(chuang)造了多個“新中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)第一(yi)”,受到全世界科(ke)學(xue)家關注,被譽為“中(zhong)(zhong)國(guo)太空材(cai)(cai)料(liao)(liao)之母”。(新浪新聞評)
時間 擔任職務
1975年—1993年 中華(hua)人民共和國(guo)第(di)四(si)、五、六、七屆全國(guo)人民代表大(da)會代表
1978年(nian)—1985年(nian) 中國電子材(cai)料行業協會主任委員
1980年—1996年 中國(guo)科學技(ji)術協會(hui)副主席(第二至(zhi)四屆)
1986年 國家自然科學(xue)基(ji)金委(wei)員會(hui)委(wei)員
林蘭(lan)英(ying)的祖先(xian)林潤(1530-1569)是明(ming)朝嘉靖年間的御史大夫(fu)。因扳倒當朝丞(cheng)相(xiang)奸臣嚴嵩父子(zi)而名震朝野。林蘭(lan)英(ying)的祖父經商有(you)成,父親大學畢(bi)業(ye)后在外地工(gong)作,母親在家(jia)主持家(jia)政。
2002年(nian),因莆(pu)田(tian)舊(jiu)城改(gai)造,林潤故(gu)居原(yuan)樣遷移(yi)到莆(pu)田(tian)城南(nan)鄉溝頭村的(de)莆(pu)田(tian)一(yi)中新(xin)校區內(nei)(nei),內(nei)(nei)含林潤的(de)后裔(yi)、林蘭(lan)英(ying)院(yuan)士(shi)故(gu)居。林蘭(lan)英(ying)去世后,骨灰從北(bei)京運至(zhi)林潤故(gu)居內(nei)(nei)埋葬并建立林蘭(lan)英(ying)陵園。故(gu)居的(de)廳堂豎立林蘭(lan)英(ying)塑像。林蘭(lan)英(ying)在北(bei)京的(de)住宅和辦公室中的(de)所(suo)有書籍和家具也運回莆(pu)田(tian)故(gu)居,陳列(lie)在林潤故(gu)居內(nei)(nei)。
2004年12月,林蘭英(ying)院(yuan)士塑像揭幕儀(yi)式在(zai)莆田第一中學舉行,中國科學院(yuan)半導(dao)體(ti)研究所所長李晉閩及莆田市有關(guan)領導(dao)、部分科技專(zhuan)家(jia)、教師(shi)和學生共數千人(ren)參加了揭幕儀(yi)式。
2013年,在(zai)林蘭英院(yuan)(yuan)士逝(shi)世十周年之際,為(wei)表達對她的思念之情和敬(jing)仰之意,學(xue)習(xi)老一輩科(ke)(ke)學(xue)家的高尚品德和創新精(jing)神,中國科(ke)(ke)學(xue)院(yuan)(yuan)半(ban)導體研(yan)究所(suo)特編輯制作了《林蘭英院(yuan)(yuan)士紀念文集》。
紀念林(lin)蘭(lan)英院士逝世十(shi)周年座談會
2013年3月4日,在林蘭英(ying)院士逝世10周(zhou)年之際,為(wei)了弘(hong)揚她的(de)愛國精神(shen)、回(hui)顧(gu)她的(de)杰(jie)出成就(jiu)、秉承她的(de)科學思想,在中(zhong)國科學院半導體研究所(suo)學術(shu)會議中(zhong)心召(zhao)開紀(ji)念林蘭英(ying)院士逝世十周(zhou)年座談(tan)會。