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人物簡介

林蘭英（1918年(nian)2月7日(ri)—2003年(nian)3月4日(ri)），女，福建莆田人(ren)，半(ban)導體(ti)材料科(ke)學家，中國科(ke)學院(yuan)學部委員，中國科(ke)學院(yuan)半(ban)導體(ti)研究(jiu)所(suo)研究(jiu)員、博士生導師。

林蘭(lan)英于1940年(nian)(nian)從福建(jian)協(xie)和大學(xue)(xue)(xue)(xue)畢(bi)業(ye)后(hou)留校任(ren)(ren)(ren)教；1948年(nian)(nian)赴美留學(xue)(xue)(xue)(xue)，進(jin)入賓夕法(fa)(fa)尼(ni)(ni)亞州迪金森學(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)系學(xue)(xue)(xue)(xue)習；1949年(nian)(nian)獲得迪金森學(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)數學(xue)(xue)(xue)(xue)學(xue)(xue)(xue)(xue)士學(xue)(xue)(xue)(xue)位，同年(nian)(nian)進(jin)入賓夕法(fa)(fa)尼(ni)(ni)亞大學(xue)(xue)(xue)(xue)研(yan)究(jiu)生(sheng)院(yuan)(yuan)(yuan)進(jin)行(xing)(xing)固體物(wu)理的研(yan)究(jiu)，先后(hou)獲得碩士、博(bo)(bo)士學(xue)(xue)(xue)(xue)位；1955年(nian)(nian)博(bo)(bo)士畢(bi)業(ye)后(hou)進(jin)入紐約長島的索菲(fei)尼(ni)(ni)亞公司擔任(ren)(ren)(ren)高級(ji)工程師(shi)進(jin)行(xing)(xing)半導體研(yan)究(jiu)；1957年(nian)(nian)1月回到中國(guo)，并進(jin)入中國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)物(wu)理研(yan)究(jiu)所工作；1960年(nian)(nian)中國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半導體研(yan)究(jiu)所成立(li)后(hou)，林蘭(lan)英擔任(ren)(ren)(ren)該所研(yan)究(jiu)員(yuan)；1977年(nian)(nian)至1983年(nian)(nian)擔任(ren)(ren)(ren)中國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)半導體研(yan)究(jiu)所副所長；1980年(nian)(nian)當選為(wei)中國(guo)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)院(yuan)(yuan)(yuan)學(xue)(xue)(xue)(xue)部(bu)委(wei)員(yuan)（院(yuan)(yuan)(yuan)士）；2003年(nian)(nian)3月4日在北京逝世，享(xiang)年(nian)(nian)85歲。

林蘭英主要從事(shi)半導體材料制(zhi)備(bei)及物理的(de)研究。在(zai)鍺(zang)單(dan)(dan)晶(jing)、硅單(dan)(dan)晶(jing)、砷化(hua)鎵(jia)單(dan)(dan)晶(jing)和高(gao)純銻(ti)化(hua)銦單(dan)(dan)晶(jing)的(de)制(zhi)備(bei)及性質等研究方面獲得成(cheng)果，其中砷化(hua)鎵(jia)氣相(xiang)和液(ye)相(xiang)外延單(dan)(dan)晶(jing)的(de)純度(du)及電子遷移率，均(jun)達到(dao)國際先(xian)進水平。

主要經歷

1918年2月7日（農歷丁巳(si)年十(shi)二月二十(shi)六日），林蘭(lan)(lan)(lan)英(ying)出生于福建莆田(tian)縣。幼年為了上(shang)學，經過一(yi)番絕食斗爭，家人同(tong)意林蘭(lan)(lan)(lan)英(ying)上(shang)了礪(li)(li)青(qing)小學，林蘭(lan)(lan)(lan)英(ying)在(zai)礪(li)(li)青(qing)小學的(de)成績始終在(zai)有(you)著40多名男女(nv)學生的(de)班(ban)中(zhong)占居前兩名，校長彭介之決定保送她進入礪(li)(li)青(qing)中(zhong)學。

1930年(nian)9月(yue)，進(jin)入礪(li)青中學(xue)初中部一年(nian)級，初中六個學(xue)期(qi)她(ta)都保持全年(nian)級第(di)一。

1933年(nian)9月(yue)，進入莆(pu)(pu)田中學(xue)高中部一(yi)(yi)年(nian)級，成(cheng)了當時高一(yi)(yi)年(nian)級唯一(yi)(yi)的一(yi)(yi)名(ming)女(nv)生，后來由(you)于(yu)莆(pu)(pu)田中學(xue)搞(gao)起(qi)了學(xue)生運(yun)動(dong)，林蘭英對運(yun)動(dong)本無興趣(qu)，轉學(xue)至莆(pu)(pu)田縣惟一(yi)(yi)的一(yi)(yi)所教會(hui)女(nv)子(zi)中學(xue)———咸益中學(xue)就讀。

1936年，考入福(fu)建(jian)協(xie)和(he)大學(xue)（現福(fu)建(jian)師范大學(xue)）物理系(xi)。

1940年，從福建協和大學畢業后作(zuo)為優秀生(sheng)留校(xiao)任助教。

1944年，擔(dan)任福建(jian)協和大學講師。

1947年5月，福建(jian)協和大(da)學與(yu)美國賓夕法(fa)尼亞州的迪金森學院建(jian)立互換留學生的關系。

1948年8月9日，遠涉重洋到(dao)美(mei)國留(liu)學，進入(ru)國賓夕法尼(ni)亞(ya)州的迪金森學院數學系學習。

1949年，獲得迪金(jin)森學院(yuan)數學學士學位，同時獲得美國大學榮譽學會迪金(jin)森分會獎勵她的(de)(de)一枚金(jin)鑰匙；同年深秋(qiu)，進入賓夕(xi)法(fa)尼亞大學研(yan)(yan)究生院(yuan)，開始了固體物(wu)理的(de)(de)研(yan)(yan)究。

1951年，獲得賓(bin)夕法尼亞大(da)學固體物理學碩(shuo)士(shi)(shi)學位，之后繼(ji)續攻讀博士(shi)(shi)學位，師從米勒(le)教(jiao)授。

1955年6月，憑(ping)借博士(shi)論(lun)文《弱(ruo)X射線輻(fu)照引起氯化鉀和氯化鈉晶(jing)體的膨脹》獲(huo)得賓夕法尼(ni)(ni)亞(ya)大(da)學(xue)(xue)固(gu)體物(wu)理(li)學(xue)(xue)博士(shi)學(xue)(xue)位(wei)，是(shi)該(gai)校(xiao)建校(xiao)215年以(yi)來，第一(yi)位(wei)獲(huo)得博士(shi)學(xue)(xue)位(wei)的中國人，也是(shi)該(gai)校(xiao)有史以(yi)來的第一(yi)位(wei)女博士(shi)。博士(shi)畢業后(hou)，導(dao)師(shi)推薦她去紐(niu)約長島專(zhuan)(zhuan)司(si)(si)(si)半導(dao)體研(yan)(yan)究的索菲尼(ni)(ni)亞(ya)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)任高級工(gong)程師(shi)。之后(hou)，她被(bei)聘為從事(shi)半導(dao)體科研(yan)(yan)工(gong)作的索菲尼(ni)(ni)亞(ya)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)（Sylvania公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)）高級工(gong)程師(shi)，靠林蘭英(ying)杰(jie)出的科學(xue)(xue)分(fen)析指(zhi)導(dao)，公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)成功地(di)造(zao)出了(le)第一(yi)根硅單晶(jing)，不久(jiu)，又為公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)申報了(le)兩(liang)項專(zhuan)(zhuan)利，公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)三(san)次提高她的年薪。林蘭英(ying)回國時索菲尼(ni)(ni)亞(ya)公(gong)(gong)(gong)司(si)(si)(si)給她年薪10000美元(yuan)，回國后(hou)每月207元(yuan)人民幣。

1956年6月(yue)，林蘭英以(yi)“母親(qin)重病”為(wei)由(you)，向印(yin)度駐美國(guo)大(da)使館提交回國(guo)申(shen)請，9月(yue)使館通知她填(tian)寫有關回國(guo)事宜的表(biao)格。

1957年1月(yue)29日，幾經(jing)周(zhou)折(zhe)抗爭，林(lin)蘭英乘坐的客輪安(an)抵香港(gang)，在國務院辦(ban)公廳(ting)周(zhou)密(mi)安(an)排下，她走上了深圳(zhen)羅湖橋頭，回到了中國，之后由大弟(di)林(lin)文豪送她經(jing)上海去北京(jing)，進入中國科學院物(wu)理(li)研究(jiu)所工作(zuo)，歷任研究(jiu)員，副所長。

1960年，擔任中國科學(xue)院半導體(ti)研(yan)究所研(yan)究員(yuan)。

1966年，“文(wen)革(ge)”開始那年，她還與中(zhong)國第一位女院(yuan)士林巧稚一同登(deng)上天安門城樓，事后便跌(die)于“文(wen)革(ge)”的沼(zhao)澤中(zhong)。

1977年—1983年，擔任中國科學院半導體研究所副所長。

1980年，當選(xuan)為中國(guo)科學(xue)院學(xue)部委員（院士(shi)）。

2003年3月4日，在北京因(yin)病醫治無效逝世，享年85歲。

貢獻影響

科研成就

科研綜述

林蘭英先(xian)后(hou)負責(ze)研制成中(zhong)國(guo)第一根硅、銻(ti)化銦、砷化鎵、磷(lin)化鎵等單晶，為中(zhong)國(guo)微電子(zi)和(he)光電子(zi)學的發展奠定了(le)基礎，負責(ze)研制的高純度汽相和(he)液相外延材料達到(dao)國(guo)際先(xian)水平。開創了(le)中(zhong)國(guo)微重力半導體(ti)(ti)材料科(ke)學研究新(xin)領域，并在砷化鎵晶體(ti)(ti)太空生長和(he)性質研究方面取(qu)得了(le)一定的成績。

1958年秋(qiu)天(tian)，林蘭(lan)英(ying)研(yan)發出(chu)中(zhong)國第(di)(di)一(yi)根(gen)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)，為制(zhi)造(zao)出(chu)無位錯(cuo)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)，林蘭(lan)英(ying)又投入研(yan)發硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)。她仔細(xi)考察、分(fen)析了蘇聯封(feng)閉(bi)式(shi)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)，發現了不足，開始(shi)研(yan)究設(she)計中(zhong)國式(shi)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)。1961年的(de)(de)深秋(qiu)，由林蘭(lan)英(ying)主(zhu)持設(she)計加工(gong)的(de)(de)中(zhong)國第(di)(di)一(yi)臺開門(men)式(shi)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)制(zhi)造(zao)成功。1962年春，林蘭(lan)英(ying)依靠國產(chan)第(di)(di)一(yi)臺開門(men)式(shi)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)，正(zheng)式(shi)啟動拉(la)制(zhi)工(gong)作。中(zhong)國第(di)(di)一(yi)根(gen)無位錯(cuo)的(de)(de)硅(gui)(gui)單晶(jing)(jing)(jing)拉(la)制(zhi)成功，無位錯(cuo)達國際先進水平。

科研成果獎勵

根據2021年(nian)6月《莆田僑鄉時(shi)報(bao)》顯(xian)示(shi)，林(lin)蘭英先后四次獲(huo)得中(zhong)國科學院科技進(jin)步獎一(yi)等獎，兩次獲(huo)國家科技進(jin)步二、三等獎。

時(shi)間 項目名稱 獎勵名稱

1981年(nian) 4K和16K硅DRAM及提(ti)高成品(pin)率(lv)研究 中國科(ke)學院科(ke)學技術(shu)進(jin)步獎一等獎

1985年 提(ti)高砷化鎵材(cai)料質(zhi)量(liang)的(de)研究 國家科學(xue)技術進步獎二(er)等(deng)獎（排名(ming)第一）

1986年 高(gao)壓液封法生(sheng)長熱穩定不摻雜半絕(jue)緣GaAs 中(zhong)國科學院科學技(ji)術進步(bu)獎三(san)等獎（排名第一(yi)）

1989年 微(wei)重力條件下從(cong)溶體生長GaAs單晶及性質研究(jiu) 中國科學(xue)院科學(xue)技術進(jin)步獎一等獎（排名第一）

1990年 等(deng)(deng)電(dian)子雜質In在GaAs中行為的(de)研究(jiu) 中國科學院科學技術進步獎三等(deng)(deng)獎（排名(ming)第一）

1991年 集(ji)成電路用(yong)半(ban)絕緣(yuan)砷化鎵熱穩定性和均勻性研究 中國科(ke)學院科(ke)學技術進步獎三等獎（排名第一）

1995年 高質量GaAs/AlGaAs二維電(dian)子氣材料(liao)研(yan)制及其器件應用 中國科學院科學技(ji)術(shu)進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排名(ming)第(di)六(liu)）

1996年 ф2”和ф3”非摻(chan)Si-GaAs單晶(jing)（片）研究 中(zhong)國科(ke)學(xue)院(yuan)科(ke)學(xue)技(ji)術進步獎(jiang)二等獎(jiang)（排名第一）

人才培養

講授課程

1940年，林(lin)蘭英從(cong)福建(jian)協和(he)大學畢業(ye)后作為(wei)優秀生留校任助教，教授《普(pu)通物理學》《高等數學》《光學》《物性聲學》《電磁學》等課(ke)程。

獲獎記錄

時(shi)間 榮(rong)譽表(biao)彰 授予(yu)單位

1980年 中(zhong)國科學院學部委(wei)員（院士(shi)） 中(zhong)華人民(min)共和國國務院

1996年 何梁(liang)(liang)何利(li)基金(jin)科學與技(ji)術(shu)進步獎 何梁(liang)(liang)何利(li)基金(jin)

1998年(nian) 霍英(ying)東成就(jiu)獎(jiang)

人物評價

林蘭英(ying)是(shi)中國半導體科學(xue)事業(ye)開拓者之(zhi)一。（中國科學(xue)院(yuan)學(xue)部與院(yuan)士評）

林蘭英從事(shi)半(ban)導體材(cai)料科(ke)學40年，是(shi)中國半(ban)導體材(cai)料科(ke)學的奠基(ji)(ji)人，對中國半(ban)導體材(cai)料科(ke)學的發(fa)展(zhan)作出了(le)重大貢獻。（何梁(liang)何利基(ji)(ji)金評(ping)）

林蘭(lan)英(ying)的(de)(de)工作極大地(di)推(tui)進(jin)了中國半導體材料的(de)(de)研(yan)究高度，為微電子(zi)和光電子(zi)學(xue)的(de)(de)發展奠(dian)定(ding)了基(ji)礎，為中國太空事業做出巨大貢獻。（《莆(pu)田(tian)僑鄉時報》評）

林蘭(lan)英是中國(guo)(guo)(guo)半導體(ti)材料科(ke)技最著(zhu)名的開拓者(zhe)，她帶動(dong)同事一(yi)起創造了(le)多(duo)個(ge)“新(xin)中國(guo)(guo)(guo)的第一(yi)”，受到(dao)全世界科(ke)學家(jia)關注(zhu)，被譽為“中國(guo)(guo)(guo)太空材料之母(mu)”。（新(xin)浪新(xin)聞評(ping)）

其他信息

社會任職

時間 擔任職務

1975年(nian)—1993年(nian) 中華人民共和國第四、五、六(liu)、七(qi)屆全國人民代表大會(hui)代表

1978年—1985年 中國(guo)電(dian)子材料行(xing)業協會主任委員

1980年(nian)—1996年(nian) 中國科學(xue)技術協會副主席（第二至四屆）

1986年 國家自然科學基金委(wei)員會委(wei)員

個人生活

家世背景

林(lin)(lin)蘭英的祖先林(lin)(lin)潤（1530-1569）是明朝嘉(jia)靖年間的御史大夫。因扳倒當朝丞(cheng)相奸臣(chen)嚴嵩父子而名(ming)震朝野。林(lin)(lin)蘭英的祖父經商有成(cheng)，父親大學畢業后在外地工(gong)作，母(mu)親在家主持(chi)家政。

后世紀念

林蘭英故居

2002年(nian)，因(yin)莆田(tian)(tian)舊城(cheng)改造，林(lin)潤(run)故居(ju)原(yuan)樣(yang)遷(qian)移到莆田(tian)(tian)城(cheng)南(nan)鄉溝頭村的(de)莆田(tian)(tian)一中新校區內，內含林(lin)潤(run)的(de)后裔、林(lin)蘭英(ying)院(yuan)士故居(ju)。林(lin)蘭英(ying)去世后，骨灰從(cong)北京運至林(lin)潤(run)故居(ju)內埋葬并建立林(lin)蘭英(ying)陵園。故居(ju)的(de)廳堂豎立林(lin)蘭英(ying)塑像。林(lin)蘭英(ying)在北京的(de)住宅和(he)辦(ban)公室中的(de)所有書籍和(he)家具也(ye)運回莆田(tian)(tian)故居(ju)，陳列在林(lin)潤(run)故居(ju)內。

林蘭英院士塑像

2004年12月，林蘭英院士塑像揭(jie)幕儀(yi)式(shi)在(zai)莆(pu)田第一中學(xue)(xue)舉行，中國科學(xue)(xue)院半導體研究(jiu)所所長李晉閩及莆(pu)田市有關領導、部分科技專(zhuan)家、教師和學(xue)(xue)生共數千人參(can)加了揭(jie)幕儀(yi)式(shi)。

林蘭英院士紀念文集

2013年(nian)，在林(lin)蘭(lan)英院士逝世十周年(nian)之際，為(wei)表達對(dui)她的(de)思念之情和敬(jing)仰之意，學習老一輩科(ke)學家(jia)的(de)高尚品(pin)德和創新精神(shen)，中(zhong)國(guo)科(ke)學院半導(dao)體研究所(suo)特編(bian)輯(ji)制(zhi)作了(le)《林(lin)蘭(lan)英院士紀念文集》。

紀念(nian)林(lin)蘭(lan)英院士逝(shi)世十周年座談會

2013年3月4日，在(zai)(zai)林蘭英(ying)院士逝世10周年之際(ji)，為了弘揚她(ta)的(de)愛國精神、回顧(gu)她(ta)的(de)杰出成就、秉承她(ta)的(de)科學思想，在(zai)(zai)中國科學院半導(dao)體研究所學術會議中心召開紀(ji)念林蘭英(ying)院士逝世十周年座談(tan)會。