山(shan)東天岳先進科技股份有(you)限(xian)公司成立于2010年11月,是(shi)一家專注于寬禁帶(第三代)半導體碳化硅襯底材料研發、生(sheng)產(chan)和銷售的科技型企業。
公司建有(you)“碳化硅半導體(ti)材(cai)料研發技(ji)術”國(guo)(guo)家地方聯合(he)工(gong)程研究(jiu)中心、國(guo)(guo)家博士后科研工(gong)作站、山東(dong)省碳化硅材(cai)料重點實驗室。公司擁有(you)80余人(ren)的研發團隊,截至2021年6月末,擁有(you)授權專利332項。
歷年(nian)來,山(shan)東(dong)天(tian)岳先后承擔(dan)了國(guo)(guo)(guo)家(jia)“核高基”重大專(zhuan)(zhuan)(zhuan)項(01 專(zhuan)(zhuan)(zhuan)項)、國(guo)(guo)(guo)家(jia)新(xin)一代寬帶無(wu)線移動通信網(wang)重大專(zhuan)(zhuan)(zhuan)項(03 專(zhuan)(zhuan)(zhuan)項)、國(guo)(guo)(guo)家(jia)新(xin)材(cai)料專(zhuan)(zhuan)(zhuan)項、國(guo)(guo)(guo)家(jia)高技(ji)術研究發展計(ji)(ji)劃(863 計(ji)(ji)劃)項目、國(guo)(guo)(guo)家(jia)重點研發計(ji)(ji)劃項目、國(guo)(guo)(guo)家(jia)重大科技(ji)成(cheng)果轉(zhuan)化專(zhuan)(zhuan)(zhuan)項等多項國(guo)(guo)(guo)家(jia)和(he)省部級項目,走在國(guo)(guo)(guo)內碳(tan)化硅襯底領域前列。
公(gong)司主要產品包括半絕緣(yuan)型和(he)導電(dian)型碳(tan)化硅襯底(di),可(ke)應用于微波電(dian)子、電(dian)力電(dian)子等領域(yu)。經過十余(yu)年(nian)的(de)技術(shu)發(fa)展,公(gong)司已(yi)掌(zhang)握涵蓋了設(she)備設(she)計、熱場設(she)計、粉料合成、晶體(ti)生長、襯底(di)加(jia)工等環節(jie)的(de)核心技術(shu),自主研發(fa)了不同尺寸(cun)半絕緣(yuan)型及導電(dian)型碳(tan)化硅襯底(di)制備技術(shu)。
碳化硅襯底處于寬禁帶(dai)半(ban)導體(ti)產業鏈(lian)的(de)前端,是前沿、基礎(chu)的(de)核心關鍵材(cai)料。公(gong)司作為我國(guo)碳化硅襯底領(ling)域的(de)領(ling)軍企業,實現了核心戰略材(cai)料的(de)自主可控,有力保障國(guo)內產品(pin)的(de)供(gong)應,確保我國(guo)寬禁帶(dai)半(ban)導體(ti)產業鏈(lian)的(de)平穩發展。
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 41153-2021 | 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測定 二次離子質譜法 | 2022-12-31 | 2023-07-01 |